露光装置最大手の蘭ASMLは受注残が196億ユーロ(約2兆5700億円)に上る。... 25年までに生産台数をEUV露光装置で20年比2倍以上に、DUV(深紫外線)露光...

JSRは極端紫外線(EUV)用メタルレジストに強みを持つ米インプリア(オレゴン州)を買収する。... 19年にEUV用メタルレジストの量産体制を整えた。......

ADEKAは30日、極端紫外線(EUV)露光向け光酸発生剤の生産能力を従来比2倍以上に引き上げると発表した。... フッ化アルゴン(ArF)液浸露光向けに加え、半導体の...

調査会社の富士経済(東京都中央区)によると、半導体に回路パターンを焼き付ける露光工程で使うフォトレジスト市場は、2026年に20年実績から5割超拡大する見通しだ。 ....

ArF(フッ化アルゴン)液浸露光向けを中心に販売は好調で、今後は5Gなどの普及で需要増加が見込まれる最先端の極端紫外線(EUV)露光向けを拡販する。

【シングルナノ】 同社は半導体回路の微細化に伴う光源の短波長化に合わせ、次世代技術とされる極端紫外線(EUV)を含むあらゆる光源に対応してきた。... 波長が13・5...

半導体に回路パターンを焼き付ける露光工程向けの感光材「フォトレジスト」は、液浸フッ化アルゴン(ArF)露光などに対応する最先端製品の生産能力を19年度比2・25倍に引き上げる。... ...

NILはシンプルな製造プロセスでEUV露光のように大電力を消費することもない。... 回路形成工程における1ウエハー当たり消費電力をEUV露光使用時と比較して10分の1程度にできることが分かった。&#...

従来の露光方法向け製品は複数社が供給しているが、最先端の超微細回路を実現するEUV(極端紫外線)露光向けは三井化学が唯一の“正規品”サプライヤーとなった。... 同社はEUV露光装置メ...

AGCがEUV用から新規参入したのは、EUV以前のフッ化アルゴン光源露光などとは段違いの性能や品質が求められるからだ。... EUVでは、露光方法も従来の透過方式から反射方式に変わり、ガラスの熱安定性...

EUV露光装置を手がける蘭ASMLが、露光工程の歩留まり低下を防止する「ペリクル(防塵カバー)」を量産用途のEUV向けで初めて開発した。これを受け、半導体メーカーがEUV露光の適用レイ...

東京エレクトロンは8日、ベルギーの研究機関imecと蘭ASMLが共同で運営するオランダの研究所「imec―ASML共同高NA EUV研究所」に自社の最先端の塗布現像装置を導入すると発表した。同...

AGC、フォトマスク母材拡販/三井化、保護膜“正規品”生産 極端紫外線(EUV)露光プロセス向け半導体材料・部材の需要が拡大してきた。... (梶原...

三井化学は、極端紫外線(EUV)露光プロセスで使われるフォトマスクの防塵カバー「EUVペリクル=写真」の商業生産を開始した。同製品の技術を持つEUV露光装置メーカーの蘭ASML...

先端半導体の生産に欠かせない「極端紫外線(EUV)露光」の周辺工程でも、日本の装置メーカーの存在感は大きい。 ... レーザーテックは、光源にEUVを使ったEUV露光...

極端紫外線(EUV)露光用レジスト原料の事業が成長し始めた。 ... ただ今の主流はあくまでフッ化アルゴン(ArF)露光用。次世代のEUV市場拡大を見...

特に需要が高まっているのが、光源にEUVを使ったEUV露光用フォトマスク(半導体回路の原版)の欠陥検査装置で、同社が100%のシェアを持つ。従来EUV露光用マスクの検査では、主...

(微細化で優れる極端紫外線〈EUV〉露光装置が注目を集めるが)必ずしもEUVで製造した最先端の半導体だけが市場で求められているわけではない。... 貿易法務部門と連携し、きめ細かな情報...

EUV露光技術は半導体の電子回路をナノメートルオーダー(ナノは10億分の1)で緻密に加工できる。... レジスト材料の有機物はEUVと反応しにくく、露光機の消費電力量は多すぎ、そこまで...

AGCは27日、半導体の生産工程で用いる消耗部材の極端紫外線(EUV)露光用フォトマスクブランクス(写真)の生産能力を現状の2倍程度に引き上げると発表した。... EU...