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記事検索結果
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京都大学大学院工学研究科の白石誠司教授と安藤裕一郎特定准教授らは、TDKや大阪大学と連携し、半導体デバイスの廃熱を電気信号として再利用する技術を確立した。... 京大とTDKなどのグループが、現在のC...
また京セラは現在、太陽光発電だけでは不足する電力を、固体酸化型燃料電池(SOFC)を使い補完するシステムの研究開発を進める。... そのため現在主力のシリコン半導体より、電力変換効率が...
【名古屋】豊田合成は開発中の窒化ガリウム(GaN)製パワー半導体で、1チップの電流が50アンぺア以上と世界最高クラスの大電流化を実現した。... 同社はこのほど、縦型GaNを使った金属...
ルネサスエレクトロニクスは、宇宙産業向けに放射線耐性を持つ窒化ガリウム(GaN)電界効果トランジスタ(FET)と、GaNFETドライバーICを発売した。... シリコン...
三菱電機は31日、実装面積を従来比で、ほぼ半減にした6・5キロボルト耐圧の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体モジュールを開発したと発表した。... 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&...
宇宙航空研究開発機構(JAXA)と富士電機は、放射線耐性に優れ、電流損失を低く抑えられる「宇宙用SJパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&...
東芝は次世代パワー半導体として期待される窒化ガリウム素子「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」(MOSFET)の実用化につながるプロセス技術を開発した。... さらに、絶縁膜中の不純...
「車載、産業機器向けの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)に最も力を入れている。... 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は車載に加え、社会イ...
【ローム パワーデバイス生産本部統括部長 伊野和英氏】 ―パワー半導体事業の状況は。 ... 当社は2010年にSiC製の金属酸化膜半導体電界効果ト...
「17年からSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の量産を始めた。IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)も拡充する。... ディスクリート...
新電元工業は従来品比で約1・8倍の大電流を流せる車載用金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発し2018年春から量産を始める。
同モジュールを構成するトランジスタとダイオードはシリコン(Si)より電力損失が少ないシリコンカーバイド(SiC)製。... 高耐圧チップの開発、パッケージ技術、金属酸化...
トランジスタ回路を微細化できる新構造を採用。... 電流を制御するゲート電極を垂直方向に埋め込む「トレンチ構造」を採用し、トランジスタ回路の幅を従来に比べ半分以下にした。... 従来構造のSiC金属酸...
【京都】ロームは金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「プレストモス」シリーズに、インバーター回路の低消費電力化に適した「R60xxMNxシリーズ=写真」を追加し...
同モジュールは、内蔵する全てのパワー半導体素子にSiC半導体を採用した製品で、400アンぺアと600アンぺアの機種を加えた。... 同等の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モ...
車載用ECU内のリレーを駆動するICで高耐圧パワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)を内蔵した。
インバーターに搭載するSiCデバイスや絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)などを中心にサポートする。... ローム滋賀では金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSF...
GaNパワー半導体は炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の次世代技術。... GaNパワー半導体では、シリコン基板上に横型のGaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)など...
電源設備や高電圧パルス発生器にSiCの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用し、加速器中性子源の小型化を実現。
ローム 車載向けで業界最小となる金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「AG009DGQ3」を開発、量産を始めた。