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記事検索結果
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同モジュールは、内蔵する全てのパワー半導体素子にSiC半導体を採用した製品で、400アンぺアと600アンぺアの機種を加えた。... 同等の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モ...
インバーターに搭載するSiCデバイスや絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)などを中心にサポートする。... ローム滋賀では金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSF...
GaNパワー半導体では、シリコン基板上に横型のGaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)などを形成するデバイスは量産されている。 ただGaN基板上にGaNの金属酸化...
電源設備や高電圧パルス発生器にSiCの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用し、加速器中性子源の小型化を実現。
ローム 車載向けで業界最小となる金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「AG009DGQ3」を開発、量産を始めた。
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のパワー素子に使える。... 不具合を発生させるボイド(気泡&...
【京都】ロームは車載向けとしては業界最小となる金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「AG009DGQ3=写真」を開発、量産を始めた。
金沢大学理工研究域電子情報学系の松本翼助教、徳田規夫准教授らの研究グループは、産業技術総合研究所、デンソーなどと共同で、ダイヤモンド半導体を使った、反転層チャネル金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&...
これにより1・5ミリメートル角のサイズで、基板に対して垂直に電流を流す縦型GaNトランジスタで20アンぺア超の電流動作を実証した。 GaNで耐圧1・2キロボルト級の金属酸化膜半導体電...
ロームは産業機器の補機電源向けに適した1700ボルト耐圧の炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「SCT2H12NZ=写真」を...
富士電機は29日、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)パワー半導体で、省エネ性能を高めた新製品2種類を発売したと発表した。
【トレンチ構造採用 SiC―MOSFET】 ロームは2015年6月、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と...
このため、水蒸気を遮断する保護膜と封止構造を開発。... 【ローム/トレンチ構造採用 SiC―MOSFET】 ■オン抵抗低減で消費電力大幅減■ ト...
【京都】ロームはエアコンのファン制御などに適した高耐圧ファンモータードライバー半導体「BM620xFS=写真」を開発した。... 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET&#...
ネツレンは炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を使用した高周波誘導加熱電源(写真)を開発した。次世代のパワー半導体と...
同リレーは半導体の計測関連機器に数千―数万個使われる。... この光を光電素子で受け所定電圧まで高めて、出力側のスイッチング素子の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を...
新機種は金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のオン抵抗のように、大きな電圧波形の中の小さな変化を測定するのに適している。
【京都】ロームは炭化ケイ素(SiC)でトレンチ(溝)構造のパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の量産を6月に開始する。... 同社...
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とゲートドライバーによるモジュール「BM65364S―VA/VC=写真」で定格電流15アンぺア、耐圧600ボルト。...
炭化ケイ素(SiC)による金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の制御、駆動に特化したもので、2016年春ごろまでに量産。同ICの投入で、SiC・MOSF...
