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東京大学大学院工学系研究科の大久保勇男助教、尾嶋正治教授らの研究チームは、電源を切っても情報が消えない次世代の不揮発性メモリーReRAMの動作メカニズムを解明した。... フラッシュメモリーの代替とし...

エルピーダメモリは2012年に、熱変化によりデータ書き込み・消去を行う相変化膜を用いた半導体メモリー「PRAM(フェーズチェンジメモリー)=用語参照」を市場投入する方針を明らか...

アドバンテストは次世代メモリーのDDR3―SDRAMの量産試験用に、メモリー・テスト・システム「T5503=写真」を開発した。

要素技術のほか貫通電極(TSV)と次世代メモリーの共同開発も検討。

信越化学工業は、磁気でデータを記憶する次世代メモリー(MRAM)向けに、大型の永久磁石式磁気回路(写真)を試作した。

東京工業大学と富士通研究所(川崎市中原区、村野和雄社長、044・754・2613)は、電源を切っても情報が消えない次世代メモリーの新材料を共同開発した。低消費電力で高速書き込みが可能な...

東芝は19日、NAND型フラッシュメモリーの新工場の建設と新世代DVD規格「HD―DVD」事業からの撤退を発表した。... 製品化から2年経過しないでのHD―DVDの撤退、世界首位を狙うメモリー新工場...

東芝は19日、新世代DVD規格「HD―DVD」事業からの撤退とフラッシュメモリーの新工場建設を発表した。... また次世代メモリーの生産も視野に入れる。 ... そのほかパソコンに搭載したドラ...

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