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記事検索結果
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半導体製造で現在主流であるフッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを光源にした液浸リソグラフィー技術を適用するため、半導体メーカーは大規模な設備投資をせずに集積度を高めたLSIの生産が...
EUVは波長13・5ナノメートル(ナノは10億分の1)で、フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを光源にするのが現在主流の露光装置の10分の1以下。... 一方、実用...
1日開幕した「セミコンジャパン」では、素材メーカー各社が半導体回路の微細化や高密度パッケージに対応する先端素材を出展している。... (6面参照) 半導体の微細化、高...
新たに市場投入したフッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを光源に用いる露光技術に対応するペリクルの供給体制を整えるのが目的。... 露光光源はg線、i線、フッ化クリプトン(K...
当面はフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)を光源とした液浸方式露光装置の技術改良に経営資源を集中させる。... 純水をレンズと半導体ウエハーの間にはさみ微細化精度を高める液浸方式で...
ただ次世代光源である極端紫外線(EUV)の技術はいまだに確立されていないため、フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザー光源を使った液浸露光技術を回路線幅32ナノメートル...
今後の増産の中心は、回路線幅(ハーフピッチ)45ナノメートル(ナノは10億分の1)世代の半導体製造向けを中心とした先端のフッ化アルゴン(ArF)エキシマ...
半導体製造プロセスでは、半導体メーカーごとに製造装置や材料の組み合わせが異なるため、プロセス材料の最適化が必要になる。... フォトレジストでは、最先端技術である液浸露光用フッ化アルゴンレジストの売り...
ニコンが営業攻勢をかけるのはフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)液浸の露光装置「S620」。半導体の回路パターンを2回以上に分けて転写して微細化する露光方式「ダブルパターニング」に...
オランダのASMLとのシェアの差が開くなか、ニコンは「フッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)液浸」と呼ばれる露光技術の新型機種「S620」の拡販で盛り返しを狙う。... 06年以降、...
ニコンは17日、都内で露光装置に関する説明会を開き、回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の最先端半導体製造ラインに採用されるフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF...
ニコンは回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の最先端半導体製造ラインに採用されるフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)液浸露光装置の最新機種「NSR―S...
JSRは22日、次世代半導体製造プロセスであるダブルパターニング向けに、トップコート不要の自己架橋型フッ化アルゴン(ArF)フォトレジストを開発したと発表した。従来品と比べ製造プロセス...
東芝と産業技術総合研究所は15日、LSI製造時に使う液浸フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザー露光装置の性能を高める技術を共同開発したと発表した。... 年度内の実用化を目指す。&#...
統合初年度の黒字化を目指しており、リストラに遅れは許されない。... フッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)ドライ露光装置の性能を引き出したことで、最先端のArF液浸露光装置を追加し...
JSRは25日、2009年春に四日市工場(三重県四日市市)内に完成した先端リソグラフィー材料の新工場を稼働し、フッ化アルゴンレジストの出荷を始めたと発表した。製造設備を完全にクリーンル...
ニコンは回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の半導体製造プロセスに採用するフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)液浸露光装置の新機種「S620」の出荷を...
露光装置は回路線幅を微細化するためのカギ。EUV装置に経営資源を集中するASMLに対し、ニコンはフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)液浸露光装置の改良機に注力する。... フォトマ...
主力のフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)液浸露光装置と同じく、EUVにも相当額の経営資源を投下する。... ただ今後も微細化が進むのは確実で、EUV市場は間違いなく形成される。....
