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フォトレジストは極端紫外線(EUV)向けが年内にも量産開始の見通しであるなど、市場環境を踏まえた製品開発で半導体業界の発展を支える。
「現在開発を進めている極端紫外線(EUV)レジストは年内にも量産できるだろう」という。
同社は半導体製造初期に用いられた波長436ナノメートル(ナノは10億分の1)のスペクトル線を示すG線から現在の同13・5ナノメートルの極端紫外線(EUV)向けまで、業界...
開発中の極端紫外線(EUV)レジストは2021年内にも量産が始まる見通し。
最先端の極端紫外線(EUV)向けでもBARC同様にレジストと基板の間に塗布するEUV下層膜を展開。
また同工場で、2021年度中にEUV(極端紫外線)レジスト用ポリマーが生産できるパイロット設備を稼働する予定で、半導体先端技術への対応を進める。
最先端のEUV(極端紫外線)レジスト用モノマーも、レジストメーカーの採用が徐々に拡大している。
大阪工場では既存建屋に液浸ArFと極端紫外線(EUV)レジストの製造設備を増設し、23年度上期に稼働する。
最も競争が激しいのは極端紫外線(EUV)露光プロセスで、JSRや住友化学などフォトレジスト各社は開発体制を強化している。
ArF(フッ化アルゴン)液浸露光向けを中心に販売は好調で、今後は5Gなどの普及で需要増加が見込まれる最先端の極端紫外線(EUV)露光向けを拡販する。
「極端紫外線(EUV)など先端材料に加え、フッ化クリプトン(KrF)をはじめ既存材料も伸びた」と手応え。
【シングルナノ】 同社は半導体回路の微細化に伴う光源の短波長化に合わせ、次世代技術とされる極端紫外線(EUV)を含むあらゆる光源に対応してきた。
同社は液浸ArFの次の極端紫外線(EUV)露光用レジストで出遅れていたが、最近は「複数社に採用が決まり、追い上げができてきた」(勝田修之電子材料事業部長)と手応えを語る...
最先端の極端紫外線(EUV)向けフォトレジスト樹脂材に、不純物が混ざらない低メタル化技術を進展させる。
融点2334度Cの特徴を生かし、最先端の極端紫外線(EUV)を用いた半導体製造プロセス関連で採用を増やす。
JSRは液浸フッ化アルゴン(ArF)向けフォトレジストで世界シェアトップ、最先端の極端紫外線(EUV)向けフォトレジストでも上位に位置する。
大日本印刷は、キオクシアホールディングス(旧東芝メモリホールディングス)、キヤノンと共同で開発を進める「ナノインプリントリソグラフィ(NIL)」での半導体製造が極端紫外...
