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記事検索結果
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CNTの材料である化学原料に代わって廃プラを熱し、発生させた炭化水素ガスで製造する。... 化学気相成長法(CVD)を活用し、廃プラの熱分解によって発生した炭化水素ガスを回収し、金属触...
【研究開発助成/一般研究開発助成(塑性加工)】▽原田寛/名古屋大学大学院工学研究科材料デザイン工学専攻「電磁力で保持した固液共存アルミニウム合金の一軸圧縮による溶質...
新潟県胎内市で発生するもみ殻を熱分解してもみ殻炭を製造する実証実験を開始し、機能性素材の原料となるシリカの開発や炭化過程で発生する可燃ガスの燃料活用などを検証する。... もみ殻シリカは鉱物由来品と比...
だが、これまで絶縁体として使われていたサファイアを半導体として使うことができれば、次世代パワー半導体材料の炭化ケイ素(SiC)よりも安価で、大量生産が可能な究極のパワー半導体の実現が期...
現時点では、CCU技術で実績のある多孔質アルミナにニッケル(Ni)ナノ粒子を担持した触媒を用いて、約31度C、約74気圧以上の超臨界CO2と水が共存する地下1キロメートルのCO2地中貯...
三菱電機は10日、の米コヒレントが炭化ケイ素(SiC)事業を分社化して設立する新会社に約5億ドル(750億円)を出資し、株式の12・5%を取得すると発表した。
東北大学の桜庭政夫准教授、佐藤茂雄教授、長康雄特任教授らは、CUSIC(仙台市青葉区)と共同で、結晶構造が異なる炭化ケイ素(SiC)同士の切れ目ない積層に成功した。
電動車などの電源部品に使われる電子部品は、高電圧に対応した炭化ケイ素(SiC)などのパワー半導体の採用が進む一方、高熱になる傾向がある。
銀や銅を超えてダイヤモンドに次ぐ熱伝導率を持ちながら、炭化ケイ素(SiC)半導体並みに熱膨張率が小さい「H1」「H2」「H3」については、既に量産化技術を確立した。
タングステンの超硬合金の硬度を上げる場合には炭化バナジウムを添加するのが一般的だが、日本特殊合金は超微粒の炭窒化チタンと炭化クロムを複合して焼結。
8インチシリコンのパワー半導体の生産能力を23年度中に2割増強するほか、炭化ケイ素(SiC)を使う次世代パワー半導体を松本工場(長野県松本市)で生産中。
次世代パワー半導体材料として期待される炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)よりも性能で優れる。
その中で、効率良く電力の制御や変換ができる「炭化ケイ素(SiC)パワー半導体」を生み出した京都先端科学大学の松波弘之特任教授(京都大学名誉教授)が有力だ。
また、ロームは東芝と次世代半導体の炭化ケイ素(SiC)を用いたパワー半導体事業などでの協業を狙っているようだ。
立命館大学発スタートアップのPatentix(パテンティクス、滋賀県草津市、衣斐豊祐社長)と同大の総合科学技術研究機構の金子健太郎研究室は共同で、炭化ケイ素(...
住友大阪セメントのESCは、高純度の炭化ケイ素(SiC)超微粒子を原料とした高純度、高熱伝導、高耐電圧、高耐久性といった特性を持ち、半導体製造装置の主要部品として採用されている。...
