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記事検索結果
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東芝はパワー半導体事業の再成長に取り組んでいる。... パワー半導体戦略のポイントは大きく二つある。... トランジスタに深い溝を掘るディープトレンチ型で高効率を実現した金属酸化膜半導体電界効果トラン...
富士電機のパワー半導体事業が成長軌道に入った。... 高耐久・大電流対応の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を主力に、特に産業機器市場での拡販に成功した。... 15年度も第...
業界に先駆け炭化ケイ素(SiC)半導体の量産を始めたロームだが、従来のシリコンでも絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&#...
また、ロームはSiC採用の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で、素子の縦方向にゲートを構成する「トレンチ型」の製品の量産を15年前半に始める。... 課題解決には、量...
【京都】ロームは2015年前半に、スイッチング時の電流損失などをシリコン製と比べ数分の1に低減できる「トレンチ型」のパワー半導体、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジス...
三菱電機は炭化ケイ素(SiC)をトランジスタ部とダイオード部の両方に採用し電力損失を抑えたパワー半導体を開発し、発売すると16日発表した。... 三菱電機が開発したパワー半導体は製品名...
三菱電機は炭化ケイ素(SiC)を使った世界最大サイズの1平方センチメートル大のパワー半導体トランジスタを開発した。... 開発したのはSiCの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ...
インバーターなどの電力変換器で従来のシリコン製パワー半導体すべてを置き換えると、国内だけで原発4基分の省エネ効果と試算される。... (京都・小林広幸) &...
モジュール内蔵素子をSiC製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のみで構成。すでに同社が量産するSiC製ダイオードとトランジスタを組み合わせたパワーモジュールに比べて...
【京都】ロームは電力損失をシリコン(Si)製パワー半導体の20分の1以下に抑えた炭化ケイ素(SiC)製のトレンチ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFE...
材料、半導体および半導体装置、計測評価、バイオサイエンス・バイオテクノロジーの4分野が受賞対象。... 【半導体および装置分野】 久本大日立製作所主管研究員は、3次元立体構造の金属酸化膜半導体...
三菱電機は業務無線機や特定小電力無線機の電力増幅器用に7・2ボルト動作の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET、写真)を12月1日に発売する。
【京都】ロームは14日、大幅に電力損失を抑えた太陽光発電用パワーコンディショナー向け金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「R5050DNZ0C9」のサンプル出荷を始めた...
各種機器の省エネルギー化の流れを受け、省電力効果があるパワー半導体の需要も拡大している。... 東芝は2011年度に金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の低耐圧品と高耐...
オムロンと米アイスモス・テクノロジー(アリゾナ州)4日、微小電気機械システム(MEMS)技術を応用した高耐圧の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET...
京都大学の須田淳准教授、三宅裕樹研究員、木本恒暢教授は炭化ケイ素のバイポーラトランジスタ(BJT)の電流増幅率を向上させる技術を開発した。 ... BJTはn型半導体とp型半導...
省電力に貢献する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)や絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)など複数のパワー半導体の出荷要請を受けており、4―6...
炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)など省エネ効果が高い次世代の半導体で、垂直統合モデルを目指す企業が現れはじめた。... 12月にはダイオードに続き、金属酸化...
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と電流を順方向に流す独自の回路技術で実現した。... MOSFETを搭載し電圧降下を約0・1ボルト以下に抑えることを実現した。
