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記事検索結果
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エルピーダメモリは16日、次世代メモリーとして有力視される相変化メモリー(PRAM)の開発を打ち切る方針を明らかにした。... PRAMは「フラッシュメモリーより安価にすることが難しい...
電源を切っても記憶を保持する不揮発性メモリーで、印刷製法で作れる。大容量記憶に向く既存シリコン製フラッシュメモリーが苦手とする大面積メモリーに用途を開く。... 金属電極を絶縁膜で挟み込み、フラッシュ...
NECとNECエレクトロニクスは、電源を切ってもデータが消えない次世代の不揮発性メモリーReRAM(抵抗記憶素子)を開発した。... また190度C程度の高温下で動作する高い信頼性を確...
【POINT】 1.現行メモリーには微細化の壁 2.低消費電力化や製造技術の確立課題 3.メモリー市場のシェア争いに異変も DRAMや...
また、単電子メモリーで低消費電力、大容量の不揮発性メモリーが実現すれば、現行のフラッシュメモリーをすべて置き換えるかもしれない。... 東工大の小長井誠教授はシリコンと炭化ケイ素(SiC...
マイコンへの混載メモリーとして実用化を目指していく。 ... MRAMは電源を切っても情報が消えない不揮発性メモリーの一種で、読み書きを高速にできる特徴がある。メモリーICとして主流のDRAM...
東芝は9日、電源を切っても記憶を保持する不揮発性メモリーで、従来比8倍高速な毎秒1・6ギガバイト(ギガは10億)でデータを転送する強誘電体メモリー(FeRAM)を開発し...
産業技術総合研究所はナノメートル(ナノは10億分の1)寸法の微細なすき間「ナノギャップ」で抵抗値が変化することを利用したナノギャップ不揮発性メモリーの新構造を開発した。... 既存の半...
回路線幅90ナノメートルプロセスを採用しマイコンへの混載メモリーに応用、09年中に市場投入する。 ... MRAMは電源を切っても情報が消えない不揮発性メモリーの一種で、読み書きを高速に行える...
東北大学は21日、スピントロニクス技術の磁気トンネル接合(MTJ)素子とシリコン素子を組み合わせた不揮発性の集積回路(IC)を作製、動作実証に成功したと発表した。電源を...
またロジ・コンビニエンスが「運送繁盛ネットの今後の展望」、ネオケミアが「炭酸ガス療法の現状と未来」、GENUSIONが「新しい不揮発性メモリーモジュールの開発」。
その際、汎用メモリーではなくロジックLSIへの混載メモリーとして用いる。 ... 研究開発には巨額資金を要するため、日本の半導体メーカーでも合従連衡が進む可能性がある。 【次世代メモリ...
東京大学大学院工学系研究科の大久保勇男助教、尾嶋正治教授らの研究チームは、電源を切っても情報が消えない次世代の不揮発性メモリーReRAMの動作メカニズムを解明した。... フラッシュメモリーの代替とし...
エルピーダメモリは2012年に、熱変化によりデータ書き込み・消去を行う相変化膜を用いた半導体メモリー「PRAM(フェーズチェンジメモリー)=用語参照」を市場投入する方針を明らか...
