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記事検索結果
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また、ロームはSiC採用の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で、素子の縦方向にゲートを構成する「トレンチ型」の製品の量産を15年前半に始める。... 課題解決には、量...
【京都】ロームは2015年前半に、スイッチング時の電流損失などをシリコン製と比べ数分の1に低減できる「トレンチ型」のパワー半導体、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジス...
半導体業界を取材する日本人ジャーナリストは「日本の半導体メーカーは、ここまで厳しくない」と証言する。 ... 現状、同ラインでは一部の白物家電向けと産業機器向けのパワーMOSFET&...
まず、パワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)モジュールを商品化。その後、汎用インバーター分野では一般的なIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)...
三菱電機は炭化ケイ素(SiC)をトランジスタ部とダイオード部の両方に採用し電力損失を抑えたパワー半導体を開発し、発売すると16日発表した。... 三菱電機が開発したパワー半導体は製品名...
三菱電機は炭化ケイ素(SiC)を使った世界最大サイズの1平方センチメートル大のパワー半導体トランジスタを開発した。... 開発したのはSiCの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ...
三菱電機はエアコンのインバーター駆動用パワー半導体モジュールで、低消費電力を特徴とする新製品(写真)を8月23日に発売する。SJ―MOSFET(スーパージャンクション金属酸化膜...
ロームは高速スイッチング性能と低電流から大電流までの省エネルギー特性を兼ね備えたトランジスタ「ハイブリッドMOS」を完成した。スーパージャンクション金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(SJ―...
インバーターなどの電力変換器で従来のシリコン製パワー半導体すべてを置き換えると、国内だけで原発4基分の省エネ効果と試算される。... (京都・小林広幸) &...
モジュール内蔵素子をSiC製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のみで構成。すでに同社が量産するSiC製ダイオードとトランジスタを組み合わせたパワーモジュールに比べて...
材料科学技術振興財団は、国内の科学技術の普及や向上に寄与した研究者らに贈られる「第12回山崎貞一賞」の受賞者に、レーザー光を用いたフォトルミネッセンスによる半導体結晶計測評価法の開発と標準化を行った宇...
【京都】ロームは22日、ダイオードとトランジスタともに炭化ケイ素(SiC)で構成したフルSiCのパワーモジュール(写真)の量産を始めたと発表した。... 競合より先行し...
【京都】ロームは電力損失をシリコン(Si)製パワー半導体の20分の1以下に抑えた炭化ケイ素(SiC)製のトレンチ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFE...
材料、半導体および半導体装置、計測評価、バイオサイエンス・バイオテクノロジーの4分野が受賞対象。... 【半導体および装置分野】 久本大日立製作所主管研究員は、3次元立体構造の金属酸化膜半導体...
三菱電機は業務無線機や特定小電力無線機の電力増幅器用に7・2ボルト動作の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET、写真)を12月1日に発売する。
【京都】ロームは14日、大幅に電力損失を抑えた太陽光発電用パワーコンディショナー向け金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「R5050DNZ0C9」のサンプル出荷を始めた...
各種機器の省エネルギー化の流れを受け、省電力効果があるパワー半導体の需要も拡大している。... 東芝は2011年度に金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の低耐圧品と高耐...
オムロンと米アイスモス・テクノロジー(アリゾナ州)4日、微小電気機械システム(MEMS)技術を応用した高耐圧の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET...
