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記事検索結果
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ローム・アポロ製造支援部の藤本武文氏は、スイッチ作用をする金属酸化膜半導体(MOS)型電界効果トランジスタで、顧客ごとの要求性能に合わせ部分的に最適化する開発を全体最適化に改める研究に...
10月10日の初会合では、東京医科歯科大学の合田達郎助教が「電界効果トランジスタを用いたバイオセンシング」をテーマに講演する。
新電元工業は従来品比で約1・8倍の大電流を流せる車載用金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発し2018年春から量産を始める。
同モジュールを構成するトランジスタとダイオードはシリコン(Si)より電力損失が少ないシリコンカーバイド(SiC)製。... 高耐圧チップの開発、パッケージ技術、金属酸化...
トランジスタ回路を微細化できる新構造を採用。... 電流を制御するゲート電極を垂直方向に埋め込む「トレンチ構造」を採用し、トランジスタ回路の幅を従来に比べ半分以下にした。... 従来構造のSiC金属酸...
同コンソーシアムが線幅7ナノメートルのテストチップまで採用してきたフィン型の電界効果トランジスタ(FinFET=フィンフェット)構造に代わり、IBMが10年以上かけて研究してき...
そのためPN接合による電界効果トランジスタ(FET)を実現できず、パワー半導体の材料として採用することは非現実的との見方が強かった。
【京都】ロームは金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「プレストモス」シリーズに、インバーター回路の低消費電力化に適した「R60xxMNxシリーズ=写真」を追加し...
同等の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールと比べて、スイッチング損失を約64%削減した。... フルSiCモジュールは、内部のショットキーバリアーダイオード&...
過充電・過放電など基本的な監視機能だけでなく、温度検出機能、充放電用電界効果トランジスタ(FET)の過熱防止機能、放電用FETの強制遮断機能などもLSI内部に組み込んだ。
車載用ECU内のリレーを駆動するICで高耐圧パワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)を内蔵した。
ちなみに、FinFETとはフィン(ひれ)状の薄いシリコンを持った3次元構造の電界効果トランジスタ(FET)のこと。トランジスタのリーク電流を抑えながら、高速動作と省電力...
研究チームは、積層型3次元型NANDフラッシュメモリーにおける独自の製造技術を活用し、強誘電体を使った電界効果トランジスタ(Fe―FET)を縦方向に接続する構造を新たに提案した。...
インバーターに搭載するSiCデバイスや絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)などを中心にサポートする。... ローム滋賀では金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSF...
GaNパワー半導体では、シリコン基板上に横型のGaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)などを形成するデバイスは量産されている。 ただGaN基板上にGaNの金属酸化...
産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門は、シリコントンネル電界効果トランジスタ(トンネルFET)を使った新しい集積回路を開発し、動作速度が2倍に向上することを確認した。... ...
電源設備や高電圧パルス発生器にSiCの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用し、加速器中性子源の小型化を実現。
ローム 車載向けで業界最小となる金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「AG009DGQ3」を開発、量産を始めた。
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のパワー素子に使える。
超省電力のトランジスタの開発につながり、待機電力がゼロのコンピューターの実現に貢献する。... TMR素子は、メモリー機能を持つ縦型のスピン電界効果トランジスタ(縦型スピンFET)の基...
