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記事検索結果
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磁気を使わないためセンサーの搭載位置の自由度が増す。... 磁気抵抗(MR)センサーを使うのが現在は一般的だが、レンズ駆動用モーターに磁気が影響を与えるため、設置場所が限られている。
【京都】村田製作所はNECから磁気抵抗(MR)センサー事業を譲り受けることで合意した。... 携帯電話やノートパソコンの開閉検出の磁気スイッチ、水道・ガスメーターの流量検出用回転センサ...
独自のGMR(巨大磁気抵抗)素子を採用することでコア(鉄心)を使用しない独自形状を実現。... ハードディスク駆動装置(HDD)用磁気ヘッドで培った高感...
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、ロジック高密度集積回路(LSI)混載のキャッシュメモリー向けにスピン注入型高性能磁気抵抗メモリー「STT―MRAM」を開発し...
東北大学大学院工学研究科の一ノ倉理教授らの研究チームは日立製作所と共同で、レアアース(希土類)を用いない可変磁気抵抗(SR)モーターを開発した。
金属酸化物は電気抵抗が低温でゼロになる「高温超電導」をつくれる。また磁場をかけることで電気抵抗が1000分の1の「超巨大磁気抵抗」になるなど、新しい電子デバイス材料として注目されている。 &#...
量産を検討するのは3次元NAND型フラッシュメモリーと、ReRAM(抵抗変化型メモリー)の2種類。... サムスンも3次元NAND、MRAM(磁気抵抗メモリー)、ReR...
物質・材料研究機構の櫻井裕也超伝導物性材料ユニット主任研究員と福井大学の研究グループは、7万気圧の高圧をかけたまま昇温して合成することで、電気抵抗がケタ違いに変化する新物質「酸化クロムナトリウム...
東京工業大学応用セラミックス研究所の笹川崇男准教授と米スタンフォード大学などの日米共同研究チームは、遷移金属や希土類を含む化合物における高温超電導や巨大磁気抵抗などについて、発現のメカニズムのカギを握...
2月に経営破綻したエルピーダメモリもシャープとDRAMの1000倍近い速度で情報を読み書きできる「ReRAM(抵抗変化型メモリー)」と呼ばれる次世代メモリーの実用化を目指していた。韓国...
バッファローメモリ(名古屋市中区、050・5830・8900)は、使用頻度の高いデータの出し入れを行うキャッシュメモリーにMRAM(磁気抵抗変化型メモリー)を採用したソ...
MRAMのメモリー部である磁気トンネル接合(MTJ)素子のトンネル絶縁膜(酸化マグネシウム)層を、従来の一括作製法ではなく分割して作製する、新しい成膜プロセスを考案した...
HDにはディスクの表面に磁気情報が書き込まれ、それを高感度な磁気抵抗センサーが読み取って再生している。... 【MRAMに照準】 スピントロニクス分野の中で次の実用化のターゲットとな...
NECは20日、電子式水道・ガスメーター向け磁気センサーの新製品(写真)を発売したと発表した。... 磁気抵抗素子の成膜工程を改善し、磁石の回転検出感度も高めた。
【京都】日本電産は2015年ごろまでに2000億―3000億円を投じてレアアース(希土類)を使わない可変磁気抵抗(SR)モーターの世界での量産体制を整備する。
エルピーダメモリは24日、次世代メモリーの一つのReRAM(抵抗変化型メモリー)を開発したと発表した。... 東芝は次世代メモリーとしてMRAM(磁気抵抗変化型ランダムアクセス...
