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記事検索結果
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富士通研究所(川崎市中原区、村野和雄社長、044・754・2613)は23日、世界で初めて電源装置向け窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(HEMT)を開発したと発表し...
日立製作所は、炭素材料のグラフェンを電子デバイスに適した絶縁体のサファイア基板上に作製する技術を開発した。... グラフェンは室温の電子移動度がシリコンより10倍以上速く、次世代の高速デバイス用途に期...
トランジスタ性能を決める電子移動度が高く、従来の二酸化シリコン膜と等価な電気的膜厚に換算したゲート絶縁膜の膜厚(等価酸化膜厚)を薄くする、両性能を両立した。... ゲルマニウムを使った...
シリコン製のn型トランジスタに比べ、電子移動度は1・35倍という。... 次世代LSIに向け、トランジスタの性能を向上するには、シリコンより高い移動度を持つゲルマニウムやIII―V族化合物半導体の採用...
富士通研究所(川崎市中原区、村野和雄社長、044・754・2613)は、窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使い、8ギガ―12ギガヘルツ(X帯、ギ...
バンドギャップとは結晶中で電子の取りうる二つのエネルギー領域間のエネルギー差。半導体素子ではこの間を電子が遷移する特性を利用している。グラフェンは電子移動度が非常に高い半面、バンドギャップが存在しない...
増幅器にはインジウム・リン系高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使う。 従来開発したRF送信部の信号の安定度を5倍以上に向上し、さらに今回新たに受信部を開発。
シリコンは電子移動度が大きく、応答速度で有機半導体や酸化物半導体をしのぐ。... 有機半導体の電子移動度は大きくてもシリコンの100分の1程度。... 東京工業大学の細野秀雄教授らが開発した透明アモル...
基本素子に化合物半導体の一つであるインジウム・リン(InP)高電子移動度トランジスタ(HEMT)を採用することで、43ギガビット動作時に消費電力1・1ワットと高速動作と...
富士通研究所(川崎市中原区、村野和雄社長、044・754・2613)は窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使い、5ギガ―12ギガヘルツ(ギガは10...
富士通研究所(川崎市中原区、村野和雄社長、044・754・2613)は窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使い、4ギガ―8ギガヘルツ(C帯、ギガは...
富士通と富士通研究所(川崎市中原区)は、待機時の通電を遮る回路が不要な新構造の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(HEMT)を開発した。... 新構造の窒化ガリウムH...
試作したトランジスタは電気特性(電子移動度)を劣化させず、絶縁膜の厚さが従来のシリコン酸化膜と同等の電気的膜厚に換算した値(EOT)で0・57ナノメートル(ナノ...
三菱電機は、C帯とX帯の周波数で業界最高の電力付加効率を達成した窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ増幅器を開発した。... 移動体通信の基地局用増幅器に適用、レーダーや衛星通信用送信機の省エネルギー...
今回の成功により、従来のシリコン結晶に比べて電子移動度が1ボルト秒当たり数万平方センチメートルと高く量産化にも適した材料という。
このため、独自開発の高速なインジウム・リン系高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使い、半値幅7・6ピコ秒(ピコは1兆分の1)のパルスを発するパルス発生器を開発した。&...
米IBMを中心に共同開発を進める韓国・サムスン電子や独インフィニオンテクノロジーズなど海外6社は、08年第3四半期に回路線幅32ナノメートルプロセスの試作品を出す。... 半導体メーカーは、現行で先端...
窒化ガリウム(GaN)半導体を使った超高速の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を搭載したアンプと、携帯電話システムで実績のある信号のひずみ補正技術を組み合わせ、電力効...
