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記事検索結果
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メモリーに使われる強誘電体ゲート電界効果トランジスタ(FeFET)を深層学習の積和計算に用いるのが特徴。
有機電界効果トランジスタ(OFET)メモリーという素子構造を採用したもので、現在広く普及しているフラッシュメモリーを有機材料に置き換えたようなものである。
徳田教授らはこれまでに、単結晶ダイヤモンドを用いた反転層チャネル金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の動作を実証している。
【京都】ロームはP型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で、オン抵抗を同社従来品比50%以上低減し、産業機器の省エネに貢献する新シリーズの生産を始めた。... ...
産業技術総合研究所や東北大学、台湾国家実験研究院などの日台の共同研究グループは、シリコン(Si)とゲルマニウム(Ge)を利用し、新しいトランジスタ技術として注目されてい...
東芝のパワー半導体は300ボルト対応までの低耐圧の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)に強みを持つ。
そのほか対象機種は集束イオンビーム加工観察装置、透過電子顕微鏡、電界放出形走査電子顕微鏡など取り扱っている20―30機種の分析装置。
異常ネルンスト効果は、磁性材料の磁石の向き(S―N極の向き)と熱流方向に直交する方向に電界が現れる現象である。熱流と直交して電界が得られるため、磁性体を平面的に接続させた薄く簡便な構造...
東北大学電気通信研究所の大塚朋廣准教授、ロームの中原健研究開発センター長らの研究グループは、シンプルな窒化ガリウム製の電界効果トランジスタ内に量子ドットが形成される様子を観測した。
【京都】ロームは1ミリメートル角サイズの超小型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。
光源のVCSEL素子と、光源を駆動する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)素子を1パッケージにモジュール化(写真)。
ロームは単位面積当たりのオン抵抗が業界最小のパワー半導体「1200ボルト 第4世代 SiC MOSFET(炭化ケイ素 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ...
シリコンウエハーに電子ビームを照射して欠陥を検出する装置で、主流の「電界放出(FE)電子銃」に比べ電子ビーム照射時間を10分の1に短縮できるという。
【移動度3倍】 最近我々は、トランジスタのゲート絶縁体としてこれまで主に使われてきたアルミナなどの金属酸化物の代わりに、六方晶窒化ホウ素(h―BN)という材料を使うこ...
