- トップ
- 検索結果
記事検索結果
305件中、7ページ目 121〜140件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.004秒)
【京都】ロームは車載向けとしては業界最小となる金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「AG009DGQ3=写真」を開発、量産を始めた。
小・中容量のIGBT(絶縁ゲート型バイポーラートランジスタ)やMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)をマイコンから直接駆動できる。
金沢大学理工研究域電子情報学系の松本翼助教、徳田規夫准教授らの研究グループは、産業技術総合研究所、デンソーなどと共同で、ダイヤモンド半導体を使った、反転層チャネル金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&...
これにより1・5ミリメートル角のサイズで、基板に対して垂直に電流を流す縦型GaNトランジスタで20アンぺア超の電流動作を実証した。 GaNで耐圧1・2キロボルト級の金属酸化膜半導体電...
ロームは産業機器の補機電源向けに適した1700ボルト耐圧の炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「SCT2H12NZ=写真」を...
富士電機は29日、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)パワー半導体で、省エネ性能を高めた新製品2種類を発売したと発表した。
渡辺教授は3次元型NANDフラッシュメモリーの独自の製造技術を使って、縦型の強誘電体ゲート電界効果トランジスタ(FeFET)を縦方向に直列接続する積層構造の論理回路を提案した。... ...
【トレンチ構造採用 SiC―MOSFET】 ロームは2015年6月、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と...
現在、デオキシリボ核酸(DNA)解析などに使われているイオン感応性電界効果トランジスタの100倍の感度という。
東京大学の尾嶋正治名誉教授らは、物質・材料研究機構の永村直佳研究員、東大の竹谷純一教授らと共同で、有機電界効果トランジスタ(FET)を動作させながら、その内部の電子状態をナノメートルレ...
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とゲートドライバー、制御ICをワンパッケージ化した。
ネツレンは炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を使用した高周波誘導加熱電源(写真)を開発した。
この光を光電素子で受け所定電圧まで高めて、出力側のスイッチング素子の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を導通する。
新機種は金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のオン抵抗のように、大きな電圧波形の中の小さな変化を測定するのに適している。
【京都】ロームは炭化ケイ素(SiC)でトレンチ(溝)構造のパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の量産を6月に開始する。... パワ...
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とゲートドライバーによるモジュール「BM65364S―VA/VC=写真」で定格電流15アンぺア、耐圧600ボルト。...
炭化ケイ素(SiC)による金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の制御、駆動に特化したもので、2016年春ごろまでに量産。
