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記事検索結果
199件中、8ページ目 141〜160件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.021秒)
試作したトランジスタはセリートが提案する金属ゲート電極を1種類として、高誘電率膜を2種類形成する構造「SMDH」を、低コストで実現するために開発された。従来の同構造では2種類の高誘電率膜をつけるため、...
半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は、回路線幅20ナノメートル(ナノは10億分の1)の金属ゲート・高誘電率ゲー...
半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は、回路線幅22ナノメートル(ナノは10億分の1)の金属ゲート・高誘電率ゲー...
「メグトロン4」はそれに次ぐ性能で、誘電率は測定値が周波数1ギガヘルツで3・8、熱分解温度は同社の一般的な材料と比べ約45度C高くなった。
真空比誘電率はセラミックス内に蓄積できる電荷量で、値が大きいほど高性能。ニオブ酸カリウムセラミックスのこれまでの誘電率は350程度。... これにより誘電率が高められるという。
強誘電体は電圧をかけると材料の誘電率が変化する性質を持つ。今回、強誘電体の代表的な材料チタン酸バリウムに、誘電率の低い酸化セリウムを組み合わせた複合材料を作製。... 強誘電体は材料の誘電率が高く、大...
これまでは線幅32ナノメートルから22ナノメートル(ナノは10億分の1)のフォトレジストの開発が中心だったが、今後はフォトレジスト以外の層間絶縁膜や低誘電率材料と呼ばれる半導体材料まで...
トランジスタのゲート電極に大電流を流せる「高誘電率ゲート絶縁膜(High―k)」や漏れ(リーク)電流を抑制する「メタルゲート」、トランジスタ配線用の「低誘電率絶縁膜&#...
今後、分解能の1ケタ向上を目指し、LSI製造工程で不良チップの選別に生かすほか、次世代LSIに使う低誘電率膜の解析などに応用を模索する。
誘電体として耐熱強化ガラス、電極に筒状のアルミニウムと放電管を覆うメッシュ状ステンレスを使う。 ... 誘電体として誘電率が高い石英、電極には放電管内部にコーティングした銀を使っていたが、同モ...
独自性や市場占有率、将来性の高い製品を認定する制度で、今回で5回目。... ▽イクシスリサーチ(幸区)=超小型イーサネット接続DCモーターコントローラー「なんでもイ〜サ」▽エー...
セリートは次世代の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)に、金属電極と高い誘電率を持つハフニウム系材料で作った絶縁膜を組み合わせた構造を採用する見通しだ。... シリコン基板に約0・4ナノ...
新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の研究プロジェクトは、LSI内のトランジスタ配線間を電気的に分離するために、多孔質シリコン酸化膜(ポーラスシリカ)を採用し...
トランジスタ構造には、ゲートに大電流を流せる「高誘電率ゲート絶縁膜(High―k)」とリーク(漏れ)電流の抑制効果がある「メタルゲート」を採用。
