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記事検索結果
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駆動には、電界効果トランジスタの一種であるMOSFETを4個使って1チャンネルのHブリッジ回路を作り、一つの機構ごとに1チャンネルのICを搭載しなければならなかった。
光に応答する有機分子を組み込んだ電界効果トランジスタを超電導物質を使って作った。... 超電導物質を使った電界効果トランジスタは、高性能かつ省エネルギーな究極のデバイス。... 今回使った有機物質だけ...
トランジスタに深い溝を掘るディープトレンチ型で高効率を実現した金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の製品ラインアップがそろいつつあり、「13年後半から販売が伸びてきた」...
高耐久・大電流対応の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を主力に、特に産業機器市場での拡販に成功した。... 15年度も第7世代IGBTや金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&...
業界に先駆け炭化ケイ素(SiC)半導体の量産を始めたロームだが、従来のシリコンでも絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&#...
広島大学HiSIM研究センターは、国際標準に選定されたトランジスタのコンパクトモデル「HiSIM―SOTB(広島大学STARC IGFETモデル―シリコン オン スィン...
また、ロームはSiC採用の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で、素子の縦方向にゲートを構成する「トレンチ型」の製品の量産を15年前半に始める。... 課題解決には、量...
【京都】ロームは2015年前半に、スイッチング時の電流損失などをシリコン製と比べ数分の1に低減できる「トレンチ型」のパワー半導体、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジス...
産業技術総合研究所は、次世代の省電力デバイスとして有望なトンネルトランジスタ(トンネルFET)が、従来の電界効果トランジスタ(MOSFET)に比べて10万倍以上長寿命で...
日本の研究機関による最先端技術への注目度も高く、東京大学は低い消費電力で動く新型のトランジスタを開発。... 産業技術総合研究所はノイズを劇的に抑えた立体型のトランジスタを発表する。 ...
現状、同ラインでは一部の白物家電向けと産業機器向けのパワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)を生産している。年内には高電圧・大電流を制御できるIGBT(絶縁ゲ...
充放電の制御には、外部から一定の電圧がかかると、スイッチをオンにするNチャンネル型の金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用。
まず、パワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)モジュールを商品化。その後、汎用インバーター分野では一般的なIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)...
三菱電機は炭化ケイ素(SiC)をトランジスタ部とダイオード部の両方に採用し電力損失を抑えたパワー半導体を開発し、発売すると16日発表した。... SiC製の金属酸化膜半導体電界効果トラ...
産総研の前田辰郎ナノエレクトロニクス研究部門主任研究員らは、幅30ナノメートル(ナノは10億分の1)程度の細線のチャネル構造を絶縁膜上に形成した、インジウムガリウムヒ素のn型金属酸化膜...
産業技術総合研究所は、LSIを低消費電力化できるシリコン製のトンネル電界効果トランジスタ(トンネルFET)の動作速度を10倍以上早める技術を開発した。... トランジスタの動作速度は駆...
45ボルト耐圧で1・75アンぺアのパワー金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)、位相補償回路を内蔵しており、外付け部品を7点に抑えた。
トランジスタは素子サイズを小さくすると、オン抵抗(動作時の抵抗)が大きくなる課題があった。このため超小型トランジスタでは耐圧20ボルトが限界だった。... 同パッケージ技術は、高速スイ...
