- トップ
- 検索結果
記事検索結果
212件中、8ページ目 141〜160件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.003秒)
オランダのASMLとのシェアの差が開くなか、ニコンは「フッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)液浸」と呼ばれる露光技術の新型機種「S620」の拡販で盛り返しを狙う。ニコンのArF液浸は...
米国を含むアジア太平洋経済協力会議(APEC)、ASEAN地域フォーラム(ARF)、ASEAN+3、+6、米国・ロシア・北朝鮮を含む六者協議、さらにイン...
これまで知られているp19Arf―p53のがん抑制の経路を活性化しない代わりに、p27、p21といったがん抑制遺伝子に依存しているという。 ... p19Arf―p53経路の正常な機能が損なわ...
ニコンは17日、都内で露光装置に関する説明会を開き、回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の最先端半導体製造ラインに採用されるフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF...
ニコンは回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の最先端半導体製造ラインに採用されるフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)液浸露光装置の最新機種「NSR―S...
JSRは22日、次世代半導体製造プロセスであるダブルパターニング向けに、トップコート不要の自己架橋型フッ化アルゴン(ArF)フォトレジストを開発したと発表した。
東芝と産業技術総合研究所は15日、LSI製造時に使う液浸フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザー露光装置の性能を高める技術を共同開発したと発表した。... ArFエキシマレーザー光源を...
フッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)ドライ露光装置の性能を引き出したことで、最先端のArF液浸露光装置を追加しなくてもチップ取得数を増やせる。
ニコンは回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の半導体製造プロセスに採用するフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)液浸露光装置の新機種「S620」の出荷を...
EUV装置に経営資源を集中するASMLに対し、ニコンはフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)液浸露光装置の改良機に注力する。... EUV装置はArF液浸露光装置とはまったく異なる機...
主力のフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)液浸露光装置と同じく、EUVにも相当額の経営資源を投下する。... 「今年出荷した2回露光(ダブルパターニング)方式のAr...
微細化の鍵を握る露光装置はフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)液浸露光装置で最先端の2回露光(ダブルパターニング)対応機種を活用。
50ナノや40ナノ台DRAMを生産するには、1台当たり40億―50億円のフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)液浸露光装置を必要とするが、65ナノXSではそれよりも安い露光装置で対応...
一方、新開発の「自己架橋型高性能ArF(フッ化アルゴン)フォトレジスト」は加熱処理で硬化するため、こうした保護材が必要ない。... またArFレーザーを使った従来の液浸露光技術に対応す...
東京エレクトロンは合志事業所(熊本県合志市)に、オランダのASML製ArF(フッ化アルゴンエキシマレーザー)液浸露光装置を今秋導入する。... ArF液浸露光装置の価格...
