三菱電機は従来の炭化ケイ素(SiC)半導体に比べ、電力損失を20%以上低減できるSiCパワー半導体を開発した。... SiCパワー半導体はシリコンに比べて大電流を流せるため、省...

東芝は、パワー半導体向けの炭化ケイ素(SiC)トランジスタについて、素子の性能指標である「移動度」を高められる新製造技術を開発した。... より高性能な素子を安全かつ安価に製造する、次...

ダイキン工業は次世代パワー半導体の周辺部で使うフィルムコンデンサー用の新素材を開発した。... 近年、高温で動作する炭化ケイ素(SiC)基板の次世代パワー半導体が自動車などで採用される...

富士電機は従来のシリコン製パワー半導体に比べ、電力損失を約8割低減できる炭化ケイ素(SiC)パワー半導体を開発した。... 今後は耐圧性能を広げるなど製品群を拡充し、新構造のSiCパワ...

調査対象は一般的なシリコン系のほか、物性値が優れる炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)を基板にした化合物系パワー半導体、酸化ガリウムやダイヤモンドをベースとした...

《SiCウエハーレーザー切断−インゴッド加工、18時間に短縮》 電子機器への省エネルギー要求が高まる中、炭化ケイ素(SiC)が電力損失の少ない次世代パワー半導体材料と...

熱効率に優れた炭化ケイ素(SiC)パワー半導体モジュールを採用し、体積は5リットル、体積当たりの電力量を示す電力密度は1リットル当たり86キロボルトアンぺアを実現した。... SiCパ...

ディスクリート(個別半導体)の一つであるダイオードにSiCパワー半導体を採用し製品化するのは、三菱電機としては初めて。これまでは複数のパワー半導体素子を組み合わせたモジュール製品を販売...

大阪大学産業科学研究所の菅沼克昭教授らは、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体モジュールの配線に耐熱性の優れた銀粒子を適用する技術を開発した。250度Cの熱にも耐え、印刷技術で線の幅や厚さ...

具体的用途として、250度C以上の高温に耐えられる脂環式エポキシ化合物を使った次世代パワー半導体用の封止材などを売り込む。... 従来、パワーデバイスに使われてきた封止材の大半は、耐熱性が175度C程...

GaNパワー半導体は炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の次世代技術。... GaNウエハーの量産技術「アモノサーマル法」を、三菱化がパワー半導体向けに改良。... 素子の性能指標となる移...

富士電機は炭化ケイ素(SiC)パワー半導体を搭載し、効率を高めた大容量無停電電源装置(UPS)を北米市場で発売した。

産業技術総合研究所と住友電気工業が連携して構築を進めていた、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体デバイスの量産開発が可能な試作ラインが完成、稼働を始めた。... SiCパワー半導体の基礎研...

10月に現地生産に乗り出し、先端のパワー半導体を搭載して性能を高めた戦略製品を投入する。... 北米市場向け戦略製品の第1弾として、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体を搭載したUPSを同...

日本ファインセラミックス(仙台市泉区、足立茂社長、022・378・7825)は、熱伝導率が従来に比べて約1・3倍高く、パワー半導体向けに適した絶縁・放熱基板を産業技術総合研究所と共同開...

電気の流れを制御するパワー半導体の素子にSiCを採用することで、電力損失や機器サイズを低減できる利点がある。... 主な素子のトランジスタとダイオードにSiCを使った「フルSiCパワー半導体」をインバ...

三菱電機は次世代半導体材料の炭化ケイ素(SiC)を全面的に使った鉄道車両用インバーターを拡販する。... 電気の流れを制御するパワー半導体の素子のトランジスタとダイオードにSiCを使い...

このほか、パワー半導体の分野でも成果を上げている。富士電機は産総研との共同研究で150ミリメートルウエハーのデバイス技術と量産化技術を開発し、これを用いたSiCパワー半導体の製造ラインを13年に稼働し...

昭和電工はパワー半導体の材料である炭化ケイ素(SiC)エピタキシャルウエハーの直径4インチ(100ミリメートル)品と6インチ(150ミリメートル)品で欠...

同インバーターは低損失化が可能なSiCパワー半導体を複数並列実装したパワーモジュールを採用した。... 低損失なSiC半導体の特性をフル活用でき、電力容量を拡大できた。 またパワー半...