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記事検索結果
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三菱電機は09年度、熊本工場(熊本県合志市)で、炭化ケイ素(SiC、シリコンカーバイド)を基板にした次世代電力用半導体(パワーデバイス)の生産体制を整え...
シリコンに比べて高性能、高効率なデバイスがつくれるGaN材料は炭化ケイ素(シリコンカーバイド)と同じく、省エネルギー化が求められる電源周辺のパワーデバイス用材料として注目されている。
実証実験では、無酸素銅の平面切削では粗さ3ナノメートルを実現したほか、タングステンカーバイドなど硬ぜい性材料の微細加工も可能なことを確認できた。
富士通マイクロエレクトロニクスも基地局向けに量産を始めたため、炭化ケイ素(シリコンカーバイド)と並び次世代パワーデバイス材料として有望視されてきた窒化ガリウム半導体の実用化に拍車がかか...
ローム、東京エレクトロン、京都大学の共同チームが、次世代パワー素子である炭化ケイ素(シリコンカーバイド)半導体ビジネスに本格参入する。... “ミスター・シリコンカーバイド”の異名も持...
ロームと東京エレクトロン、京都大学は共同で、08年度内に炭化ケイ素(シリコンカーバイド、用語参照)製の半導体を搭載したパワーモジュールの実用化に乗り出す。... SiC(シリコ...