- トップ
- 検索結果
記事検索結果
179件中、9ページ目 161〜179件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.004秒)
NECは世界最速の500メガヘルツ(メガは100万)で動作する次世代の「不揮発性磁気メモリー(MRAM=用語参照)」を開発した。... 開発したMRAMは、セル...
ルネサステクノロジは09年中に、チップ上の回路線幅に90ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用した磁気抵抗型メモリーMRAMを市場投入する。
東芝はSiC素子のほか、立体構造トランジスタのひずみ印加技術、大容量の磁気抵抗ランダムアクセスメモリー(MRAM)技術などを展示した。
産業技術総合研究所はシャープと共同で、実用的な高速動作の不揮発性抵抗変化メモリー(RRAM)を開発したと25日発表した。... RRAMは酸化膜を金属電極で挟んだ構造で、酸化膜の電気抵...
NECが磁気抵抗(MR)センサー事業の海外展開に踏み切ったのは4年前。... 現場からも反対の声が出たが、半導体ウエハーに磁気膜を作る工程を内製化するなど工夫をする中で「なるほどそうな...
従来の巨大磁気抵抗素子の100倍以上の約0・2マイクロワット(マイクロは100万分の1)の発振出力を実現した。... 作製したトンネル磁気抵抗素子は磁極フリー層(コバルト・鉄・...
NECと富士通の両グループ、東芝などは磁気抵抗を用いた「MRAM」の研究開発を進めるほか、エルピーダメモリは相変化膜を用いた「PRAM」に的を絞りつつある。... 富士通研究所と富士通マイクロエレクト...
また、すべてのマイコンにフラッシュメモリーを搭載しているが、今後、回路微細化を一段と進めて、高度な処理を行う際にはフラッシュメモリーの代わりに、磁気抵抗を用いたMRAMや相変化膜を用いたPRAMなどの...
▽内閣総理大臣賞=超高密度HDDのための高性能トンネル磁気抵抗素子(湯浅新治・産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門研究グループ長ら)▽科学技術政策担当大臣賞=完全...
「次世代メモリーとして磁気抵抗を用いた『MRAM』の研究開発に力を入れているほか、通信用LSIやスパコン用LSIなどがある。
2012年には相変化メモリーも含めた抵抗変化型メモリーに置き換える。技術提携先のキマンダは相変化膜を用いた『PRAM』や磁気抵抗を用いた『MRAM』の技術を持っており、研究開発コストを分担していきたい...
鉄やマンガンなど磁性を持つ金属元素を含まない有機分子で、磁気抵抗の性能を表す磁気抵抗比を従来比14倍の70%に大きくした。有機分子が磁気抵抗素子として使える可能性を初めて示せたことになる。&#...
NECは08年度上期中に、携帯機器向けの磁気抵抗(MR)センサーの特注品を含めた全製品について、資材調達から出荷までのリードタイムを数カ月から1週間以内に短縮する。
この可視化技術を電子同士の相互作用が強いマンガン酸化物に適用した結果、巨大磁気抵抗(GMR)効果による電気抵抗率の変化の原因を解明できた。... マンガン酸化物はマイナス115度Cで性...
【京都】リベックス(京都市下京区、三木正之社長、075・325・2888)は、油圧シリンダー部品のロッドの位置を計測する変位磁気センサー「マグレゾ=写真」を4月に発売する。.....
