「量子ドット型」と呼ばれる微細な結晶が内部に並ぶ太陽電池で、現在実用化されている薄膜シリコン太陽電池と同じ材料を使いながら、変換効率は薄膜シリコンの理論上の限界値である30%を超える。従来シリ...

シリコン基板と窒化ガリウム膜の間に、窒化アルミと窒化ガリウムを交互に積層したバッファー層を設けて膜厚を厚くした。... シリコン基板の窒化ガリウム半導体は主に携帯電話や情報通信機器などの高周波デバイス...

このアンテナは高さ30ナノ、幅50ナノ、長さ110―158ナノメートル(ナノは10億分の1)の金の直方体をシリコン基板上に300個並べて作製。... これら励起された電子が金・シリコン...

石原薬品はインクジェット印刷技術を使い、柔軟に曲がる電子機器用基板(フレキシブル基板)に回路を描ける銅インクを開発した。... 基板にも銅が溶けて食い込み密着性が増す。... フレキシ...

CNTの薄膜を柔らかい高分子基板に貼り付け実現した。... シリコン基板上に作ったCNTを基板からはがし、伸縮性のある基板に並べ、イソプロピルアルコールによってCNTの向きを制御しつつ基板に接着した。...

NECは低電力ネットワークの実現に向け、シリコン基板上に多数の光素子を集積した光スイッチを開発した。シリコン半導体を使って光回路を作製する「シリコンフォトニクス」と呼ぶ最新技術を使い、現在の石英製光ス...

微小電気機械システム(MEMS)技術を利用し、部品の数をシリコン基板や半導体レーザーなど5点に抑えながら2・8ミリメートル角のチップに集積した。

旭硝子は27日、結晶シリコン系太陽電池の電極向けに、鉛フリーの焼結用粉末ガラスを発売したと発表した。... シリコン基板上に焼結成形した際に金属とシリコンとの密着性や経時耐久性を持たせる素材で、太陽電...

東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構は16日、シリコン製の光源の開発を目指して、米インテルと共同研究を始めると発表した。... 開発するシリコン製光源は次世代LSIに導入が期待されている光と電...

シリコン基板に不純物を加えない新しい電極の形成法で、安定した電極構造を作れるようになる。... シリコン基板側には手を加えず、電極材料である金属側のみに不純物を添加することで、金属とシリコン界面にある...

従来のシリコン製の素子より性能が高まる。... 絶縁膜との界面の特性を高め、トランジスタの作製過程を改良した結果、シリコン基板上に作る従来のFETに比べて、移動度が電子で2・5倍、正孔で3・5倍の高性...

シリコン基板上に高誘電体材料であるハフニウム酸化物の結晶膜を合成した絶縁膜で、低消費電力のLSIを作れるようになる。 ... 結晶成長を精密にコントロールする熱処理プロセスを取り入れ...

従来、絶縁性基板で製造したGaNトランジスタに比べ、シリコン基板で製造したものは耐圧性で劣っていた。同社シリコン基板で、高耐圧化を妨げるメカニズムを解明。... 同社ではシリコン基板で耐圧が上がらない...

東京大学と産業技術総合研究所などは6日、22ナノメートル世代(ナノは10億分の1)のLSI開発に向け、従来のシリコンの限界を超える相補型金属酸化膜半導体(CMOS)トラ...

産学官、早期実用化へ「システムが要」 シリコン基板上に光回路と電子回路を一体化する「シリコンフォトニクス技術」の応用研究が盛り上がっている。... (藤木信穂)...

シリコン基板を削ったり、薄膜で可動部を形成したりする段階から試作と改善を重ねた。

【温度変化を観測】 産総研では、薄膜の熱拡散率を測るため、透明基板側の薄膜表面を瞬間的に加熱し、反対側の薄膜表面への熱拡散による温度変化を観測できる「パルス光加熱サーモリフレクタンス...

シリコンなど既存の材料に比べ、高出力、高温での動作可能なGaNデバイスの特徴をいかし、需要を取りこむ。... 同社のGaNデバイスはシリコン基板上に窒化ガリウムを積み重ねて回路を形成する。競合他社には...

同技術はシリコン基板を2枚のガラス基板で挟んだ3層構造。電子の増倍部はシリコン基板を深掘りエッチング技術で削って形成した。

東京工業大学の岩井洋教授と早稲田大学の共同研究チームはワイヤ(細線)1本当たり1マイクロアンぺア(マイクロは100万分の1)と低い待機リーク(漏れ)電流...