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記事検索結果
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相変化メモリーなどの高度化につながる。 研究チームは高輝度の放射光X線を用いた高圧回折実験と、機械学習を用いた数値計算シミュレーションを組み合わせ、圧力の変化に伴う相変化材料であるガ...
米国のスタンフォード大学とカリフォルニア大学サンディエゴ校(UCSD)、中国・清華大学などは共同で、不揮発抵抗変化メモリー(RRAM)を使い人工知能(AI...
解決策の一つが、現在国内外で研究開発が活発に行われている「高性能なストレージクラスメモリー(SCM)」である。... さらに低消費電力化の実現のため、電源供給なしでデータを保持できる不...
産業技術総合研究所は筑波大学と共同で、不揮発性メモリーの一種である抵抗変化メモリー(ReRAM)の挙動を電流ノイズから解明することに成功した。... 振動や温度差などを利用した環境発電...
神戸大学は低電圧の環境発電技術(エナジーハーベスティング)、中央大学はIoT向け抵抗変化メモリー(ReRAM)のコンバーターをそれぞれ発表する。
筑波大学数理物質系の長谷宗明准教授、産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門の富永淳二首席研究員らのグループは、現在の記録型DVDや、次世代の不揮発性固体メモリーとして期待されている「相変化メモ...
日本勢はメモリー分野の強さを見せつけている。... 【28ナノ混載用途】 一方、日本勢の中では、業界で初めて抵抗変化型メモリー(ReRAM)を量産したパナソニックが、...
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は名古屋大学と共同で、データセンター(DC)のSSD(ソリッド・ステート・ドライブ)向け新型相変化メモリーを開発...
特許登録3年以内の発明を対象にした21世紀発明賞には、遷移金属酸化物型抵抗変化メモリの基本技術を発明した石田実ソニー半導体事業本部研究開発部門課長ら4人を選定した。
産業技術総合研究所は導電性を持つ酸化物の強誘電体を使った、新型の抵抗変化メモリー(ReRAM)を開発した。... 新原理でデータの書き換え特性や保持特性などが低下する問題を解決し、メモ...
産業技術総合研究所は、電源を切ってもデータが消えない不揮発性の固体記憶素子「相変化メモリー」が常温で巨大な磁気抵抗効果を示すことを世界で初めて発見した。既存の不揮発性記憶素子である磁気抵抗メモリー&#...
大阪大学の笠井秀明教授らは抵抗変化メモリー(ReRAM)の電子の通り道である伝導パスが形成される仕組みを突き止めた。... ReRAMは不揮発性メモリーの一つで、遷移金属酸化物層を金属...
「相変化メモリー関連の開発依頼が増えそうだ」と期待するのは、気相成長(東京都小金井市)社長の町田英明さん。... 同メモリーの実用化は韓国・サムスン電子が先行するが、日本も新エネルギー...
【仙台】東北大学大学院工学研究科の須藤祐司准教授らのグループは24日、約170度Cの耐熱性を持つ相変化メモリー(PRAM)の新材料を開発したと発表した。... また、融点は既存材料より...
産業技術総合研究所とシャープ、アルバック、金沢大学の共同チームは18日、電源を切ってもデータが消えない不揮発性の抵抗変化メモリー(RRAM)素子を開発し、8インチウエハー上に128キロ...
ニューモニクスの株主である米インテルはマイクロンとフラッシュメモリーの生産合弁を行っており、実質3社の技術資産を持ち寄り、次世代メモリーの開発を加速。... マイクロンがニューモニクスの買収を決めたの...
エルピーダメモリは16日、次世代メモリーとして有力視される相変化メモリー(PRAM)の開発を打ち切る方針を明らかにした。... PRAMは「フラッシュメモリーより安価にすることが難しい...
ニューモニクス(本社スイス)は回路線幅45ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用した1ギガビット相変化メモリー(PCM)を2010年に出荷する...
【POINT】 1.現行メモリーには微細化の壁 2.低消費電力化や製造技術の確立課題 3.メモリー市場のシェア争いに異変も DRAMや...
▽大塚貴弘名城大学理工学部准教授=建築鋼構造部材に対する局部座屈を考慮したはり要素モデルの開発▽栗濱忠司中部大学工学部教授=新しい強誘電体と超伝導体の設計と物性評価に関する研究▽橋井光...
