SiCウエハー製造では、昇華法が主流となっている。昇華法とは、不活性ガスを充填させた炉内でSiC原料を高温で昇華させ、上部のSiC種結晶に成長させる方法である。... 結晶成長に温度差を利用する昇華法...

同大学で教授も務める宇治原氏が研究する「溶液成長法」という技術を使うことで、一般的な製法の昇華法と比べ品質に結び付く結晶密度は10―100倍に跳ね上がる。... これに対し昇華法は、加熱してガス化した...

一般的な昇華法よりも欠陥の低減が期待される同技術の確立に取り組む。

一般的な昇華法よりも欠陥の低減が期待されるのが溶液成長法だ。昇華法は固体のSiCを高温で昇華させ、低温下で再結晶化させる。溶液法は、炭素を含むSi溶液中で結晶化する。

SiCウエハーは昇華法で高品質の単結晶成長を実現する技術などを披露し、生体情報センシングは帽子のようなウエアラブルセンサーで脳血流を読み取って感情を検知する技術をみせた。

SiC結晶は「昇華法」で量産されている。... 結晶の成長速度や大きさは課題だが、昇華法より高品質で工程も単純。... 現在、溶液法で欠陥を制御する精度は「昇華法の1ケタから2ケタ上」(原田助...

▽チリ共和国アルケロス地区における層準規制型銅鉱床の発見=日鉄鉱業など4社▽Paste Backfill practices at POGO mine&...

SiC下地基板は、シリコン(Si)基板上に3マイクロメートル(マイクロは100万分の1)程度の立方晶(3C)系SiC層をエピタキシャル成長法という結晶成...

新日本製鉄の藤本辰雄氏が「SiC単結晶基板の最近の開発動向」、日本結晶光学の山崎貴史氏が「CaF2結晶の最近の進展」、信光社の福士大吾氏が「サファイアに関する動向」、JFEミネラルの永田俊郎氏が「昇華...

先行他社が「昇華法」と呼ばれる製造法なのに対し、住金は「溶液成長法」で差異化を図っている。 ... ただ、現状では昇華法の方が成長速度が速いのも事実。... 【量産時に優位】 とはいえ...

同社は00年の開発着手以来、溶液成長法での試作を重ね、04年に直径2インチ、06年に同4インチの単結晶育成に成功。... 現在、炭化ケイ素の単結晶は昇華法と呼ぶ製法で量産されているが、マイクロパイプと...