一般的なGaNデバイスと比べ静電破壊耐量が約75%高く、製品の高信頼化につながる点などが評価された。... ロームの650ボルト耐圧GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)「...

体積99%・電力損失55%減 【京都】ロームは窒化ガリウム(GaN)パワー半導体と駆動用ICを一つのパッケージに同梱したシステム・イン・パッケージ&#...

電源などを手がける台湾のデルタ電子の関連会社と、650ボルト耐圧のGaN製高電子移動度トランジスタ(HEMT)を共同開発し、量産を始めた。... デルタ電子の関連会社、アンコラセミコン...

三菱電機はLow―Ku(13ギガヘルツ、ギガは10億)帯の周波数で動作する衛星通信地球局向け窒化ガリウム製高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT...

スイスのSTマイクロエレクトロニクスは、窒化ガリウム(GaN)製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を搭載した電源機器用集積回路(IC&#...

データセンターなどの電源システム向けに、600ボルト耐圧のGaN製高電子移動度トランジスタ(HEMT)を共同開発する。... ロームは150ボルト耐圧のGaN製HEMTの量産体制を確立...

【京都】ロームは窒化ガリウム(GaN)製パワー半導体の量産体制を整えた。生産子会社のローム浜松(浜松市南区)にGaN専用ラインを導入、15...

150ボルト耐圧のGaN製高電子移動度トランジスタ(HEMT)などを量産する。... ロームが量産を始めるのは、ゲート・ソース間の定格電圧を業界最高レベルの8ボルトに高め、信頼性を高め...

【京都】ロームは150ボルト耐圧の窒化ガリウム(GaN)製高電子移動度トランジスタ(HEMT)で、ゲート端子とソース端子間の定格電圧を業界最高レベルの8ボルトに高める技...

【名古屋】名古屋大学未来材料・システム研究所の天野浩教授らは23日、電極幅1ミリメートル換算の容量が3・5ワットと従来比3倍のワイヤレス電力伝送(WPT)用の窒化ガリウム(Ga...

この装置を使い、物質・材料研究機構(NIMS)・東北大学・住友電気工業のチームは、高速通信用パワーデバイスとして期待されるGaN―HEMT素子において、出力が低下する原因と考えられてい...

住友電気工業は10月にも、高速・大容量、低遅延の第5世代通信(5G)を進化させた携帯電話通信網「5G+」向けに、窒化ガリウム(GaN)デバイスの次世代品を投入す...

同社がGaNデバイスを海外生産するのは初めて。... 住友電工は携帯電話基地局向けGaNデバイスでは世界シェア7割程度を持つトップメーカー。米国で生産に乗り出すのは、GaNを使った高電子移動度トランジ...

GaN HEMTが破壊されない低温(約650度C)において、GaN HEMTの表面に放熱性の高いダイヤモンド膜を形成する技術を開発し、動作時の発熱量を40%低減...

三菱電機は2日、産業技術総合研究所と共同で単結晶ダイヤモンド放熱基板を使ったマルチセル構造の窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(GaN―HEMT)を世界で初めて開発したと発表した...

名古屋大学の天野浩教授らの研究グループは22日、次世代半導体材料として期待される窒化ガリウム(GaN)にイオンを注入して高品質の「p型GaN」を作製する手法を開発したと発表した。......

そこでJAXAでは、BDRの小型軽量化のためにスイッチング周波数の高周波化を検討しており、窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN-FET)を適用したメガヘルツスイッチング電源...

三菱電機は12日、次世代移動通信システムに適用する、超広帯域の窒化ガリウム(GaN)製の増幅器を開発したと発表した。... デバイスは、高効率かつ低消費電力のGaN高電子移動度トランジ...

日本は発光ダイオード(LED)の開発などでGaN素子の技術には蓄積があり、GaNウエハーの生産も世界トップシェア。... GaNパワー半導体では、シリコン基板上に横型のGaN系高電子移...

三菱電機は衛星通信地上局用の電力増幅器向けでは業界最高クラスとなる出力電力80ワットの窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(GaN―HEMT)を完成した。従来はGaN―HEMTでも出力...