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記事検索結果
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キオクシア(旧東芝メモリ)は23日、北上工場(岩手県北上市)で4月に第2製造棟(K2棟)の建設を始めると発表した。3次元NANDフラッシュメモ...
ロジック、NANDフラッシュメモリー、DRAMなどアプリケーションごとに特徴も出てきている。... キオクシアホールディングス(旧東芝メモリホールディングス)と数年来開発に取り組んでい...
アドバンテストは、試験速度を従来機比2倍以上に高めたメモリー向け試験装置(テスター)「T5835」を発売した。... DRAM、NANDフラッシュメモリーの高速テス...
特に近年増加している3D NANDフラッシュメモリーは構造の多層化によってガス使用量が増え、半導体市場以上にガス市場は拡大している。
日本の半導体メーカーはNANDフラッシュメモリ、CMOSセンサーといった製品別に得意領域を持つ形に移り、旧世代の装置は売却している。
3次元型NANDフラッシュメモリーの独自の製造技術を用いたLSIで、積層化によってチップ面積を減らしたことでチップ内の配線が短くなり、遅延時間が短縮されて動作速度が向上した。... 下層から上層に向か...
SCMに求められる性能は、DRAM程度の高速性を有し、ランダムアクセスが可能、NANDフラッシュメモリーよりも高速かつ低コストで、十分に大容量なものが望まれる。さらに低消費電力化の実現のため、電源供給...
中国の裁判所は半導体メモリー製造大手の米マイクロン・テクノロジーの販売に仮差し止め命令を出した。... UMCの3日の発表によれば、福州中級人民法院は特許侵害裁判でUMCの主張を聞き入れ、マ...
清華大はマイクロエレクトロニクス&ナノエレクトロニクス学部の学生に、半導体メモリーのテスト手法を教えるために両装置を使うという。 ... T5830ESは、フラッシュメモリー...
研究チームは、積層型3次元型NANDフラッシュメモリーにおける独自の製造技術を活用し、強誘電体を使った電界効果トランジスタ(Fe―FET)を縦方向に接続する構造を新たに提案した。...
特にメモリー、ディスプレーなどの部品事業が業績を牽引した。... 半導体事業は、メモリーの高性能・高容量製品の供給拡大により業績が伸び、売上高が14兆8,600億ウォン、営業利益が4兆9...
3次元型フラッシュメモリー固有の製造技術をシステムLSIに転用することで、これまで不可能だったシステムLSIの大規模化を微細化せずに実現する。... 渡辺教授は3次元型NANDフラッシュメモリーの独自...
それでも、東芝はNANDフラッシュメモリー、ルネサスはマイクロコントローラー(MCU)、ソニーはイメージセンサーと選択と集中が進み、存在感を発揮している。
▽キヤノン「機動性に優れた小型軽量デジタルシネマカメラの意匠」▽日立製作所など「データストレージの容量仮想化技術の発明」▽JFEスチールなど「気体燃料吹き込みによる高強度焼結鉱製造技術の発明」▽久光製...
中央大学理工学部の竹内健教授らの研究チームは、次世代半導体メモリーである抵抗変化型メモリー(ReRAM)とNANDフラッシュメモリーを組み合わせたハイブリッド固体記憶駆動装置(...
微細化が最も進むNANDフラッシュメモリーでは微細化終焉(しゅうえん)を見越して、韓国サムスン電子が3DNANDフラッシュを発表。日本のエルピーダメモリを傘下に収めた米マイクロン・テク...
これに伴ってファウンドリー(半導体受託製造)やNANDフラッシュメモリーメーカーが台湾や韓国、米国で設備投資を計画しており、装置需要も伸びる見込み。
【焦点】 ●NANDフラッシュメモリーの利益率改善(韓国サムスン電子は推定30%) ●社会インフラは海外案件拡大で、プロジェクト管理徹底がカ...
