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産業TREND/SiCパワー半導体 成長支える日本企業 （2023/5/18 産業TREND）
昇華法とは、不活性ガスを充填させた炉内でSiC原料を高温で昇華させ、上部のSiC種結晶に成長させる方法である。... 22年2月には新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)から、...
中国経産局、戦略的基盤技術支援9件を採択 （2014/8/7）
▽ヒルタ工業(岡山県笠岡市)、先端力学シミュレーション研究所(埼玉県和光市)=溶接部応力制御技術開発による自動車用サスペンション部品の軽量化▽サンエス(...
GSIクレオス、パワー半導体用SiC加工に参入−仏社と提携 （2014/6/12）
SiCの研磨(ポリッシング)、再生、薄化、平坦(たん)化、気相成長(エピタキシャル)をそれぞれ提案する。... パワーデバイスにおけるSiCウェハーのニ...
レーザーテック、SiCウエハー向け欠陥検査装置発売 （2009/12/7）
【横浜】レーザーテックは炭化ケイ素(SiC)ウエハー向けの欠陥検査装置「WASAVIシリーズ SICA61=写真」を発売した。... これにより、コントラストの高い明瞭...
