切断加工機などの各種加工機を導入し、SiC単結晶の切断から、研削、研磨までの工程に対応する。... 新工場建設を機に新事業のパワー半導体向けSiCウエハー加工の推進と同時に、既存のセラミックス加工事業...

自社製SiC単結晶基板を用いて開発した。SiCパワー半導体は車載用途などで需要の急拡大が予想される。... 同社はSiCエピウエハーの外販で世界首位。

引き合いが増加する中、同社は3月に6インチSiC単結晶基板の自社生産を始めることも公表。... 超臨界状態にしたアンモニアにGaN多結晶を溶かし、単結晶を再析出させる。... 融液法で単結晶を育成し、...

昭和電工は28日、パワー半導体向けに6インチの炭化ケイ素(SiC)単結晶基板の量産を開始したと発表した。同社は同基板上にエピタキシャル薄膜を成長させたSi...

【2000℃以上】 東洋炭素はシリコンや炭化ケイ素(SiC)単結晶製造工程向けのほか、ウエハー上に窒化ガリウム(GaN)層を製膜する際に使用する「MO...

SiCのインゴット(塊)を作る工程からウエハー化する工程までを低コスト化するため、材料や装置、プロセス技術を持つ企業が連携。... 「次世代SiC結晶成長技術開発プロジェクト」は、高品...

「炭化ケイ素(SiC)単結晶を採用した固体研粒が砥石の役割を果たし、細かな凹凸を滑らかにする。

住友電気工業は炭化ケイ素(SiC)パワーデバイス用の直径6インチ(150ミリメートル)単結晶基板「CrystEra(クリステラ)=写真」を開発し...

6インチの高品質なSiC単結晶の登場によって、世界中でパワーデバイス開発が加速しつつある。 産業技術総合研究所(産総研)では2000年からSiC単結晶育成技術の本格的...

【名古屋】SiCツールズ(名古屋市中区、青木渉社長、052・799・7601)は、市販の切削工具に3次元(3D)CMP(化学機械研磨)を施し、鋭利さを示...

■ナノレベルの微細加工に対応■ ビーティーティー(BTT、名古屋市守山区、和久田修志社長、052・736・8441)は、名古屋工業大学と共同で刃先に炭化ケイ素(...

SiC単結晶の切削工具は珍しいという。... 同社はSiC単結晶に金属原子を付与し、硬度を高める手法を研究。... また、刃先形状の作り込みでは、SiC単結晶の研磨手法を確立。

一方、新日鉄住金はSiCウエハー研究開発から撤退することになる。... 昭和電工は新日鉄住金が保有する150ミリメートル口径(6インチ)SiC単結晶ウエハーの研究開発と、100ミリメー...

名古屋大学未来材料・システム研究所博士後期課程の角岡洋介氏、宇治原徹教授らの研究チームは、人工知能(AI)技術の一種であるニューラルネットワークを利用して炭化ケイ素(SiC&#...

電力中央研究所、デンソー、昭和電工は12日、電力の損失が少ないパワー半導体に使う高品質なSiC(炭化ケイ素)単結晶膜を高速で製造する技術を確立したと発表した。... 膜厚の均一性が2&...

産業技術総合研究所、太平洋セメント、屋久島電工(東京都中央区、下泉学社長、03・3243・1112)は、従来の約2倍の速さでパワー半導体用の炭化ケイ素(SiC)単結晶が...

安価なシリコン基板上に高品質なSiC単結晶薄膜を低コストで量産する技術で、業界初という。... SiCは通信関連の高周波デバイス用などに見込まれる窒化ガリウム(GaN)の製膜に適し、同...

ブリヂストンは電力制御用半導体(パワー半導体)の素材である炭化ケイ素(SiC)単結晶ウエハーの開発から撤退した。... ブリヂストンは約10年前にSiC単結晶ウエハーの...

SiC下地基板は、シリコン(Si)基板上に3マイクロメートル(マイクロは100万分の1)程度の立方晶(3C)系SiC層をエピタキシャル成長法という結晶成...

産業機器用や鉄道用のSiCを使った半導体の生産が始まる中で、有償サンプルを中心に販売を本格化する。... 11年7月からSiC単結晶メーカーやウエハー加工メーカーにサンプル提供を開始。... シリコン...