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極端紫外線(EUV)向けフォトレジストなどの開発・生産・品質評価機能を強化。

特に7ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の先端半導体ではEUV露光装置が不可欠だ。... EUV露光装置は光源の出力を高めることで半導体製造に使えるようにした。 ...

キセノンランプなどを製造する電子管事業部が主導し、次世代の光源としてエナジティックのレーザー励起光源(LDLS)や極端紫外線(EUV)光源を獲得した。

米インテルがEUV技術の製造ノウハウなどの部分で協力する。... 日本の研究機関としては初めてEUV露光装置を導入する。... EUV露光装置は回路線幅が微細な半導体の製造には必要不可欠だ。

最先端の半導体分野では極端紫外線(EUV)露光装置を手がける蘭ASMLが独占するが、EUVに比べて解像性の低い装置もメモリーや車載向けなど幅広い分野で需要が強まっている。... 半導体...

これは極端紫外線(EUV)リソグラフィーで得られるパターン線幅の下限値よりも小さい。

2024年末に日本で初めて極端紫外線(EUV)露光装置をパイロットラインに導入。

シンプルな極端紫外線(EUV)露光技術を開発した。 減衰率の大きかったミラーを削減し、小型EUV光源で露光できるようになる。... 「検査用EUV光源で露光装置に挑戦...

光源を低出力化 沖縄科学技術大学院大学(OIST)の新竹積教授は、極端紫外線(EUV)リソグラフィー装置のミラーを4枚に削減する光学系を発明した。EU...

京セラ、低熱膨張「コージライト」を天文・宇宙向けに拡販 (2024/8/2 電機・電子部品・情報・通信)

もともとは低熱膨張ガラス製のウエハー保持用ステージの代替素材として提案し拡販してきたが、現在は最先端の極端紫外線(EUV)露光装置でも採用されている。

「24年中にはラピダスにEUV露光装置が導入される。... EUV露光装置に触れられる環境として、imec(ベルギーの国際半導体研究機関)などがある」 ―米インテルに...

東京エレクトロン、ガスクラスタービーム装置発売 EUV露光回路補正 (2024/7/23 電機・電子部品・情報・通信2)

従来、複数回必要だったEUV露光の工程を削減し、コスト低減に寄与する。 ... EUV露光は先端半導体の製造には不可欠。一方、EUV露光装置の運転には大量の電力を使用するなどの課題も...

24年中にはラピダス(東京都千代田区)が北海道のパイロットラインに、日本で初めて極端紫外線(EUV)露光装置を導入。... ASMLが人員強化に動く背景には、日本政府の...

リンテックは次世代極端紫外線(EUV)露光装置用カーボンナノチューブ(CNT)ペリクル(防塵膜)を開発しサンプル提供を始めた。......

これまでは後工程のみだったが、極端紫外線(EUV)露光装置用ペリクル(防塵膜)で前工程への参入も目指している。

インタビュー/住友化学社長・岩田圭一氏 4部門制、投資メリハリ (2024/7/8 素材・建設・環境・エネルギー)

次世代極端紫外線(EUV)露光機に対応するレジストを開発し、トップランナーを目指す」 ―石油化学関連は環境負荷低減技術に舵を切る方針です。

住友化学は次世代極端紫外線(EUV)露光装置向けフォトレジストを開発する。... 次世代EUV露光装置は微細な回路パターンを描くため、光の利用効率が高い高NA...

また、速度がDRAMとNANDの中間のメモリーを開発できないか考えている」 ―NANDにおいて、極端紫外線(EUV)露光装置の導入の可能性はありますか。 &#...

三菱ケミ、福岡で半導体フォトレジスト材料を増産 (2024/6/13 素材・建設・環境・エネルギー1)

フッ化アルゴン(ArF)フォトレジスト用感光性ポリマーの設備を2025年10月、極端紫外線(EUV)フォトレジスト用同ポリマーの設備を25年9月に稼働する予定。ArFフ...

三井化、露光用CNTペリクルを量産化 岩国大竹工場を増強 (2024/6/12 素材・建設・環境・エネルギー1)

このため回路線幅の超微細化ニーズが高まっており、微細化回路形成用の極端紫外線(EUV)露光技術の採用が本格的に拡大している。 三井化学はEUV露光の環境に対応する高い...

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