[ エレクトロニクス ]

米WD、1セル当たり4ビットのメモリー開発−来年内に量産

(2017/7/26 05:00)

米ウエスタンデジタル(WD)は、記憶容量が1セル当たり4ビットとなるNAND型フラッシュメモリー(写真)を開発した。64層の3次元(3D)構造を採用。データセンターやパソコン向けのソリッド・ステート・ドライブ(SSD)などに提案する。これまで1セル当たり3ビットが主流だった。2018年内に量産を行う。

子会社のサンディスク(SD)と東芝の共同開発。一つのセルに記憶できるビット数が1ビット増え、1セル当たり4ビットを実現した。チップとしては512ギガビット(ギガは10億)の64層チップから768ギガビットの64層チップとなる。同チップを合わせることでSSDなどのパッケージ製品を提供する。

すでに東芝は6月からSSDメーカーやコントローラーメーカーにサンプルを提供している。8月から、業界最大容量となる1・5テラバイト(テラは1兆)のパッケージ製品をサンプル出荷する。

(2017/7/26 05:00)

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