携帯型業務用無線機向け「シリコンRF高出力MOSFET」サンプル提供開始

3.6V駆動で業界最高の出力電力6.5Wを実現し、無線機の送信距離伸長と低消費電力化に貢献


シリコンRF高出力MOSFET　RD06LUS2
　三菱電機株式会社は、携帯型業務用無線機（以下、業務用無線機）の電力増幅器の終段に搭載される高周波デバイスとして、3.6Vのリチウムイオン1セルバッテリー駆動（以下、3.6V駆動）で業界最高(※1)出力電力6.5Wを実現した、シリコンRF(※2)高出力MOSFET(※3)「RD06LUS2」のサンプル提供を2月28日から開始します。これにより、業務用無線機の送信距離の伸長と低消費電力化に貢献します。

　近年、スマートフォンを中心に3.6Vバッテリーの普及が進むなか、業務用無線機市場でも従来の7.2Vバッテリーよりも安価な3.6Vバッテリーで、7.2Vバッテリー同等の高出力が可能な無線機の開発が期待されています。一方、バッテリーの低電圧化により電力増幅器の出力が低下するため、スマートフォンに比べ高い出力を必要とする業務用無線機においては、3.6Vバッテリーでも高出力を実現できるMOSFETの開発が求められています。

　今回、当社がサンプル提供を開始するシリコンRF高出力MOSFET「RD06LUS2」は、3.6V駆動用に最適化させた新型MOSFETチップの開発と、2個のMOSFETチップを内蔵した新パッケージにより、バッテリー電圧3.6Vにて、業界最高(※1)出力電力6.5Wと、業界トップクラス(※1)のドレイン効率(※4)65％を実現しました。これにより、3.6Vの業務用無線機の送信距離の伸長と低消費電力化に貢献します。また、2個のMOSFETチップ内蔵の新パッケージにより、業務用無線機のプリント基板への実装面積の省スペース化と、組み立て時のコスト低減にも貢献します。

■新製品の特長
1．3.6V駆動で業界最高(※1)6.5W出力を実現、業務用無線機の送信距離伸長に貢献
・3.6V駆動用として内部構造の最適化によりオン抵抗を低減し、電力密度が向上した新型MOSFETチップを開発
・2個の新型MOSFETチップ内蔵の製品としたことで、当社従来製品(※5)比60％向上した業界最高(※1)の出力電力6.5Wを実現
・6.5Wの高出力化により、業務用無線機の送信距離を従来製品(※5)比で最大27％の伸長を実現

2．業界トップクラス(※1)のドレイン効率65％を実現し、業務用無線機の消費電力を低減
・MOSFETチップを3.6V駆動、出力電力6.5Wにすることにより、出力向上しつつも業界トップクラス(※1)のドレイン効率65％を実現
・ドレイン効率65％の実現により無線機の電力消費を低減し、稼働時間の延長に貢献

3．MOSFETチップ2個内蔵の新パッケージで、業務用無線機の実装面積の省スペース化、組み立てコスト低減に貢献
・2個の新型MOSFETチップ搭載の新パッケージにより、従来製品(※5)の2個使用と比べて、業務用無線機のプリント基板への実装面積比で33％の省スペース化を実現
・基板実装工法の1つである表面実装技術（SMT：Surface Mount Technology）に対応した新パッケージにより、チップマウンターを用いた自動実装が可能となり、業務用無線機の組み立て時のコスト低減に貢献

■今後の予定・その他関連製品の展開予定
　本製品は2024年7月に発売予定です。
　また、本製品のドライバー段として使用可能なシリコンRF高出力MOSFETデバイス「RD00LUS2」を2024年3月にサンプル提供を開始し、2024年8月に発売予定です。
　加えて、業務用無線機開発のサポートツールとして、両製品を組み合わせた2段増幅器構成の製品評価用回路基板（EVB(※6)）と、シミュレーション用のノンリニアモデルを2024年5月に提供開始予定です。

■製品仕様

■環境への貢献
本製品はRoHS(※7)指令（2011/65/EU、（EU）2015/863）に準拠しています。

■製品担当
三菱電機株式会社　高周波光デバイス製作所
〒664-8641 兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地

＜お客様からのお問い合わせ先＞
三菱電機株式会社　半導体・デバイス第二事業部　高周波光デバイス営業部
〒100-8310 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号
https://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/hf/contact/

■ウェブサイト
高周波デバイスウェブサイト
https://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/hf/

※1　2024年2月27日時点、当社調べ。電源電圧3.6V動作のVHF／UHF帯電力増幅器品において
※2　Radio Frequency：高周波
※3　Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属酸化膜半導体製の電界効果トランジスタ
※4　増幅器に供給された電力が高周波出力に変換される時の効率で、高いほど性能が優れる
※5　当社従来製品　4WシリコンRF MOSFET「RD04LUS2」
※6　Evaluation Board 製品評価用回路基板
※7　Restriction of Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment

企業プレスリリース詳細へ
PRTIMESトップへ

情報提供元：PRTIMES
本リリースの掲載元：https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000000095.000120285.html