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記事検索結果
489件中、5ページ目 81〜100件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.004秒)
次世代通信用デバイスやパワーデバイスを製造するためのプラズマエッチング装置などを主力とする。
企業で各種半導体メモリーなどの開発に携わり、小柳光正東北大学教授の研究成果を元に、最先端の3次元積層型LSI(大規模集積回路)の試作、デバイス開発を目的に会社を設立。... 2026年...
【奈良】光洋サーモシステム(奈良県天理市、竹岡伸高社長)は、次世代パワー半導体の8インチウエハーの工程処理に使うコンタクトアニール用ランプアニールシステム...
自動車業界など向けでニーズが高まる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)などのパワーデバイス検査に適するロジ...
エネルギー損失が抑えられ、電気自動車(EV)や産業機器などでSiCデバイスの活用が進むことが期待される。 ... SiCは原子間の結合力が強く、絶縁破壊や高温に強い半...
電気自動車(EV)や産業用途などのパワーモジュールへの採用を目指す。 近年、ハンダやグリースで基板やヒートシンクを接合しない一体型の直冷構造により、パワーデバイスから...
12月めどにパワーモジュールの開発や生産などを担う新会社を上海市に設立する。... ロームとは協力関係にあり、合弁会社設立を機に、今後拡大が見込まれるSiCパワーモジュール事業を強化する。 &...
車載、産業機器、民生向けと全市場で強い引き合いで、LSI(大規模集積回路)、半導体素子、パワーデバイスなど全製品が非常に活況だ。... 戦略的にパワーデバイス、汎用デバイスの一部や車載...
炭化ケイ素(SiC)パワーデバイス生産増強のための新棟が2020年12月に完成し、ウエハー処理や試作評価を進めている。... 新棟活用によりSiCパワーデバイスの生産能力を25年3月期...
昭和電工は28日、パワー半導体用炭化ケイ素(SiC)エピタキシャルウエハーの供給について、東芝デバイス&ストレージ(東芝D&S、東京都港区)との間で長期...
シリコンのパワーデバイスが炭化ケイ素(SiC)に置き換わり、さらに新しい材料が出てくる可能性がある。
炭化ケイ素(SiC)は絶縁破壊電界強度がシリコン(Si)の10倍、バンドギャップが同3倍などの特性を持ち、Siの限界を超えるパワーデバイス用材料として期待される。......
■半導体供給課題 半導体デバイスや部品・部材の不足や値上げの影響に関して、メーカーは予想して前倒しで発注した。... さらにパワーエレクトロニクスの研究開発投資が後押しした。こうした...
パワーデバイス用セラミックス回路基板や次世代ヒートシンクへの適用が期待されている。
新工場を軸にパワー半導体の生産能力を4年後までに従来比1・6倍程度に引き上げる計画だ。 同社はパワー半導体の特性を高めることを目的とした、ウエハーの研磨・研削加工や洗浄を受託している...
しかしパワーデバイスでは貫通転位という結晶表面に垂直な転位があると不良が生じる。なぜLEDは転位があっても光るのに、パワーデバイスは転位があると動作しないのか。... この原因解明でパワーデバイスプロ...
既に吉利汽車が、22年に量産予定の電気自動車(EV)の駆動用トラクションインバーターに、ロームのSiCパワーデバイスを搭載することが決まっている。 今回の連携締結によ...
パワーデバイス用セラミックス回路基板や次世代ヒートシンクなどの高放熱化に適用できる。... 同社ではパワーデバイス市場や自動車市場、高出力レーザーダイオード市場など、放熱が必要な分野で利用拡大を図る。...
高温プラズマや腐食性ガスにさらされる半導体製造工程の真空容器内での使用や、電動化で高温でのパワーデバイスの動作が求められるEVやHVなどでの使用に適している。
