熱電変換性能の指標となるパワーファクターは、室温付近の30度Cで1534マイクロワット毎メートル毎ケルビン(マイクロは100万分の1)、200度Cで2800マイクロワット毎メートル毎ケ...

ベクサーの熱伝導率(設計推奨値)は1メートル・1ケルビン当たり0・021ワット。

すると80ケルビン(マイナス193度C)を境に流れやすい方向が切り替わった。 ... 80ケルビン以下の低温では熱の粒子としての性質が強くなり、まっすぐ進むように振る...

シリコンの上に鉄ガリウムを成膜する単純な構造で1ケルビン当たり15・2マイクロボルト(マイクロは100万分の1)の電力を発生する。... 膜厚を調整して検証すると、最大で1ケルビン当た...

超電導型は10ミリケルビン(ケルビンは割字)(マイナス273・14度C)の極低温で量子ビットを操作して演算に使う。

従来は4・2ケルビン向けに作られていたSFQ回路を0・33ケルビンに対応させた。 ... 試作回路を評価すると330ミリケルビンで電流密度は1平方センチメートル当たり208アンペアだ...

例えば、マイクロスケール(マイクロは100万分の1)の共振器では共振周波数がギガヘルツ領域になるため、これに比例して動作温度が極めて低くなる(0・001ケルビン)。

これを防ぐため冷凍機で4ケルビン(マイナス269度C)に試料を冷却。

この影響を抑えるために特殊な「ケルビンソース端子」が設けられる素子もあり、今回、同端子の有無による影響を高速に確認できるようにした上で、高速なシミュレーションと高い精度を両立した。

従来の電子干渉計は数十ミリケルビンに冷やす必要があったが、グラフェンで約500ミリケルビンに向上、耐電圧も数十マイクロボルト(マイクロは100万分の1)から約500マイクロボルトに向上...

各磁性層が強磁性体から常磁性体に転移するキュリー温度に70ケルビン程度の差を付け、書き込み用のレーザー強度をキュリー温度に応じて調整することにより記録を行う。

研究チームは、従来の研究対象だった4ケルビンよりも2ケタ低い0・015ケルビンの極低温で電気特性を測定。... 近年、量子コンピューターの制御回路に向けて4ケルビンの低温で動く集積回路の開発が求められ...

フレームレス燃焼は火炎温度を1800ケルビン以下に抑える低NOx燃焼技術。

スキルミオンをアンチスキルミオンに変換する場合、温度勾配が1マイクロメートル(マイクロは100万分の1)当たり3・8ケルビンを超えるとアンチスキルミオンの数が逆転し、同5ケルビンを超え...

熱による変化量は温度上昇と膨張の割合を示す熱膨張係数を、600度C時に毎9・1メガケルビンとした。

熱伝導率は1メートルケルビン当たり300ワット以上、接合強度は40メガパスカル(メガは100万)以上を示す。

100ギガヘルツ(ギガは10億)帯の高周波電波の導波管を作製し、4・8ケルビンの極低温で評価すると、伝送損失は1メートル当たり0・05デシベルだった。

絶対零度でしか成り立たなかった磁性体リザバー計算を4ケルビン以下の極低温で成立するようにした。銅酸化物超電導体などの相互作用の大きな物質では十数ケルビンでも機能すると試算された。

350度Cの超高耐熱性能を持つ1液型樹脂と、熱伝導率が1メートルケルビン当たり12ワットの高放熱性樹脂で、いずれも加工性が高く、生産工程の効率化や脱炭素化に貢献できる。... 高放熱性樹脂の開発品は、...

4ケルビンから300ケルビンの温度範囲で高周波部品の振幅や位相を測定する装置を開発した。