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ロームの1200ボルトクラスのSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と、650ボルトクラスのSiCショットキーバリアダイオード(SBD)が、ハイコの...
ショットキーバリアダイオード(SBD)と金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の650ボルトクラスと1200ボルトクラスの製品。
ロームのSiCショットキーバリアダイオード(SBD)「SCS308AH」が、村田製作所グループのムラタパワーソリューションズの手がける電源ユニット「D1Uシリーズ」に採用された。...
21年に最大1200ボルトの電圧に耐えられるショットキーバリアダイオード(SBD)を開発するなど、パワーデバイスの研究開発も手がける。
2インチウエハーにトレンチ型のショットキーバリアダイオード(SBD)を作製した。SBDはショットキー接合の整流性を利用し、一方向にのみ電流を流す。
これまで同社製品のショットキーバリアダイオード(SBD)やモスフェット(MOSFET)に、昭和電工のSiCエピウエハーが採用された実績がある。
【京都】ロームは同社従来品に比べ、チップ性能を25%高効率化したショットキーバリアダイオード(SBD)24製品を拡充した。... SBDは金属と半導体を接触させることでショット...
また、オン抵抗の低いトレンチMOSFETにショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵したSWITCH−MOSを開発した。
このため、立ち上がり電圧が低いショットキーバリアダイオード構造と、立ち上がり電圧は高いが大電流を流せるPN接合ダイオード構造を融合した、ハイブリッド構造にした。
新日本無線は高性能の音響機器向けデバイス「MUSES(ミューズ)」シリーズに、SiC―SBD(炭化ケイ素ショットキーバリアダイオード)「MUSES7001=写真...
パナソニックは、同社従来品と比べ体積を98%削減した小型・大電流のショットキーバリアダイオード(写真)16品種を6月から順次量産すると12日発表した。... ショットキー接合部...
SiC製のショットキーバリアダイオード(SBD)と酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を搭載しており、機器の小型・高効率化に貢献する。
