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記事検索結果
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開発品は電界集中を緩和する独自のダブルトレンチ構造を進化させ、両立が難しかった短絡(ショート)耐量時間を犠牲にせず、オン抵抗を同社従来品との比較で約40%、他社従来品比でも20...
「電流を制御するゲート電極を垂直方向に埋め込む『トレンチ構造』を採用し、小型で電力損失を8割削減できる製品を開発した。
「基板の中に溝(トレンチ)を掘り、ゲートを3次元的に作り込み、ソースからドレインへ電子を最短経路で流す構造だ。... ただトレンチ構造では従来、デバイスの信頼性に課題があった。そこでソ...
加えて2年後をめどに、シリコンよりも高いエネルギー効率が見込める炭化ケイ素(SiC)パワー半導体で、小型・軽量化できる「トレンチ構造」の製品を投入する計画。
電流を制御するゲート電極を垂直方向に埋め込む「トレンチ構造」を採用し、トランジスタ回路の幅を従来に比べ半分以下にした。... 今回、加工や洗浄条件などを改善することで、トレンチ構造を実現した。 ...
第2世代までのプレーナー構造を一新し、SiCでは初めてトレンチ構造を採用。... 従来のMOSFETはゲートやソースが平面上に並ぶプレーナー構造だが、トレンチ構造はゲート部分を縦方向に溝(トレ...
SiCのMOSFETはプレーナー(平面)構造しか量産されておらず、トレンチ構造は業界初。... トレンチ構造はチップ表面に溝を形成し、その側壁にゲートを形成。... 現在は2世代目のM...
高効率化で次世代MOSFETとして期待されるトレンチ構造にも対応。京大とロームがトレンチ型MOSFETを試作し、その性能を実証した。