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記事検索結果
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この要請に応えるため、新しい発光材料の物質設計や、発光体の効率を低下させる不純物や結晶欠陥の低減に尽力してきた。... 専門は結晶成長、電子物性研究を基礎とした電子材料開発。
化合物半導体ウエハーはシリコンと比べ、結晶欠陥が多いと言われ、デバイスの安定生産や歩留まり向上には品質向上が不可欠。... 基板結晶と違う格子定数の結晶を成長させる「ヘテロエピタキシャル成長」では、基...
ファインセラミックスセンターの姚永昭主任研究員らはノベルクリスタルテクノロジー(埼玉県狭山市)、兵庫県立大学と共同で、X線異常透過現象を利用して酸化ガリウムの結晶欠陥を撮影す...
【相模原】エビス(相模原市南区、戎嘉男社長)は、ジェットエンジンや発電用ガスタービンのタービンブレード鋳造用に開発した「無欠陥単結晶ブレードの製法(Mプロセス)」を20...
結晶の乱れ(欠陥)が発生しない半導体レーザー素子を作製し、駆動電力を従来の10分の1に低減した。... レーザーの特性が劣化する要因として、半導体レーザー素子を形成する結晶欠陥に着目。...
【仙台】福田結晶技術研究所(仙台市青葉区、福田承生社長)は、産学連携チームを組んで、異種基板から結晶成長に導入する中間層(バッファー層)を用いず、直径約50ミリメートル...
東芝はパワー半導体に使う炭化ケイ素(SiC)エピタキシャル(薄膜結晶)ウエハーの内製化に乗り出す。... 今後は他社からSiCウエハー基板を調達し、社内で基板...
ただ絶縁層に使われる酸化ケイ素や窒化ケイ素は結晶欠陥を持つため信号の損失につながっていた。そこでセレン化ニオブの間に、原子数層の厚みで結晶欠陥のないhBNを入れる構造を開発。
この鉄鋼を含む全ての工業用金属材料は結晶欠陥(格子欠陥)を含んでいる。... 結晶欠陥とは、原子レベルでの規則的な原子配列の乱れ(原子レベルの構造欠陥)であり、結晶粒界...
大口径GaN基板が量産化されると、GaN基板上にGaN結晶を成長させ、より結晶欠陥の少ない基板を用いて高性能なパワー半導体を生産できるようになる。 ... 同設備で採用した「液相成長...
繰り返し引っ張り圧縮により鋳鉄の構成相の一つに結晶欠陥が蓄積され、これが鋳鉄全体の強度を増すことを示した。... その結果、引張圧縮のサイクル数増加に伴い、構成相の「フェライト」の組織中に転位と呼ばれ...
同合金が極低温で延性を増すのは、複数の結晶欠陥などが作用するためであることを示した。... すると、同合金は変形時に結晶構造は変化せず、複数種類の結晶欠陥の発生や移動などが段階的に起こることで、延性が...
すでに量産しているエピタキシャル(結晶成長)基板「EpiEra(エピエラ)」用の基板として10月以降に適用をはじめ、SiCの単結晶基板からデバイスまでの一貫生産を始める...
これらの応用先では、高品位な結晶性を持つGaNウエハーが求められており、我々はその結晶性、特に結晶面の形状を解析することで、高品位化へ貢献することを目指している。 【「ゆがみ」把握】...
この20年間の重要な課題は、小さな結晶をひずみなく大口径結晶にまで成長させることと、結晶中の欠陥を限りなく減らすことであったが、現在では市販と同サイズの6インチSiCウエハーを作製できる単結晶成長技術...
【仙台】福田結晶技術研究所(仙台市青葉区、福田承生社長、022・303・0170)は、窒化ガリウムなどの基板に用いる新規の複合酸化物で、結晶欠陥(転位)が存在しない直径...
素材はファイブナイン(99.999%)と呼ばれる高純度の多結晶シリコン(ポリシリコン)を自社で生成している。 ...
固液界面の移動方向によって凝固後の結晶方位を制御する。 ... 層の界面で結晶欠陥が捕まり、集まるのを妨げるため、変形に強くなる。... さらに各層は単結晶のように結晶方位がそろって...
優秀賞は環境・エネルギー分野で京都大学の奥田貴史氏の「炭化珪(けい)素半導体を用いたパワーデバイス開発および電力変換回路への応用」と、先端計測分野で東北大学の谷川智之氏の「多光子励起顕...
ダイヤモンド単結晶を化学的に加工して片持ち梁構造のカンチレバーを作製。... ダイヤモンドの単結晶を成膜し、その一部に高エネルギーイオンを注入してグラファイトに変える。... さらに原子レベルで化学処...