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数値が低いほど損失低減につながるダイオード特性「VF(順方向電圧)」「trr(逆回復時間)」の性能を向上。
600ボルト耐圧スーパージャンクション構造の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「プレストモス」に、業界最速の逆回復時間(trr)とオン抵抗の低減を両立...
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数値が低いほど損失低減につながるダイオード特性「VF(順方向電圧)」「trr(逆回復時間)」の性能を向上。
600ボルト耐圧スーパージャンクション構造の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「プレストモス」に、業界最速の逆回復時間(trr)とオン抵抗の低減を両立...
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