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[ エレクトロニクス ]
(2016/1/6 05:00)
京セラは炭化ケイ素(SiC)によるパワー半導体の放熱に適した基板材料(写真)を開発し、一部量産を始めた。薄いセラミックス基板の両面に銅を厚く接合したことで、従来...
(残り:411文字/本文:491文字)
(2016/1/6 05:00)
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京セラは炭化ケイ素(SiC)によるパワー半導体の放熱に適した基板材料(写真)を開発し、一部量産を始めた。薄いセラミックス基板の両面に銅を厚く接合したことで、従来...
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