また電界効果トランジスタに似た構造を持つことから、電流値で量子ビット状態を測定できるという利点もある。

ロームは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の2素子内蔵品にオン抵抗を他社従来品比61%低減(P型部の比較)したプラスマイナス40ボルト耐圧品...

山形大学有機エレクトロニクスイノベーションセンター水上研究室(水上誠准教授)が有機トランジスタ素子を作製した。... 同有機トランジスタ素子は、ガラス基板上にソース、ドレイン、ゲートを...

東京大学の小林正治准教授らは、神戸製鋼所とコベルコ科研(神戸市中央区)と共同で酸化物半導体「IGZO」トランジスタの移動度を2倍に高めることに成功した。... トランジスタはIGZOに...

【川崎】富士通ゼネラルは15日、窒化ガリウム(GaN)を材料に使った電界効果トランジスタ(FET)の高耐圧チップをドライブ回路とともに内蔵した小型パワーモジュールを、世...

産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センターの岡本光央主任研究員と原田信介研究チーム長らの研究グループは、炭化ケイ素(SiC)のパワー半導体の縦型金属酸化膜半導体電界効果ト...

【性能の限界突破】 シリコンに代表される半導体材料は、トランジスタやメモリー、センサーなどの素子に加工され、パソコンやスマートフォンなどのデバイスに欠かせない材料だ。

東芝が開発したのは、パワー半導体の一種である「IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)」。

その結果、必要な電力をトランジスタ1個当たり30マイクロワット(マイクロは100万分の1)まで抑えられた。

メモリーに使われる強誘電体ゲート電界効果トランジスタ(FeFET)を深層学習の積和計算に用いるのが特徴。

Nチャネル型の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタを採用し、高速動作回路を新たに設計して小型化・効率化した。

「従来技術では一つのシナプスの機能を実現するために10個程度のトランジスタが必要になる」(寺部主任研究者)。

IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)デバイスに最適な専用の駆動回路を搭載し、自己保護機能などを1パッケージ化した。

【京都】ロームは150ボルト耐圧の窒化ガリウム(GaN)製高電子移動度トランジスタ(HEMT)で、ゲート端子とソース端子間の定格電圧を業界最高レベルの8ボルトに高める技...

有機電界効果トランジスタ(OFET)メモリーという素子構造を採用したもので、現在広く普及しているフラッシュメモリーを有機材料に置き換えたようなものである。 OFETメ...

華域三電は昨秋、ロームの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)パワーデバイスなどを採用した電動コンプレッサーの量産を始めている。

さらにこのフィルムを利用し、曲げても壊れない硬いフィルムや柔軟性を持つトランジスタを実現できた。

ジャパンパワーデバイス(JPD、大阪市中央区、須山透社長、06・7777・4251)は、電磁誘導加熱(IH)製品など民生品向けに価格を抑えたIGBT(絶縁ゲート...

1974年に世界初のトランジスタインバーターを出荷して以来、47年間かけて大台を突破した。

新製品は最新の第7世代IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)素子を採用。