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記事検索結果
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この限界値を突破するため、従来使っていた光の10分の1以下の波長である極端紫外線(EUV)を使う技術の開発が進んでいる。
極端紫外線(EUV)で半導体回路パターンをシリコンウエハー上に焼き付けるEUV転写技術(リソグラフィー)の実用化促進に役立つ。
次世代技術の極端紫外線(EUV)リソグラフィーの普及が遠のく中、既存のフッ化アルゴン(ARF)液浸リソグラフィー工程を2回以上繰り返すマルチパターニングを使い、20ナノ...
酸化亜鉛に不純物としてインジウムを混ぜており、波長13・5ナノメートル(ナノは10億分の1)に達する極端紫外線(EUV)を可視光に変換する時間がピコ秒(ピコは1...
波長105ナノメートル(ナノは10億分の1)以下という極端紫外線を観測する望遠鏡を載せ、金星の大気や木星の強い磁気圏などを調べる。 ... 地球の高度約1000キロメ...
■金星や木星を分光観測 イプシロンに搭載するのは科学衛星「惑星分光観測衛星」で、波長数十ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の極端紫外線を使った望遠鏡で金星や火星、...
衛星に載せた数十ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の極端紫外線を使った望遠鏡で金星や火星、木星といった惑星を観測する。... 地球から極端紫外線を使って金星や火星などの惑星を観測す...
今後改良を進め、次世代の半導体製造技術である極端紫外線(EUV)リソグラフィーへの用途を目指し、3インチ結晶の作製技術を確立する。
半導体は極端紫外線(EUV)露光などの次世代技術関連の研究も行うが、短期ではプラスアルファの技術でのフッ化アルゴン(ArF)露光の延命に対応することがポイントだ」...
JSRは20日、米国半導体製造技術組合のSEMATECHと共同で、化学増幅型の感光性材料(フォトレジスト)を使って極端紫外線(EUV)露光し、線幅15ナノメートル...
研究で用いた極端紫外線は、電子ビームエネルギーがXFELの約32分の1の250メガ電子ボルト(メガは100万)、長さは同約10分の1に当たる約65メートルの自己増幅自発放射光。 ...
【材料分野】武知敏富士通セミコンダクター知的財産本部標準推進部プロジェクト課長、野崎耕司富士通研究所基盤技術研究所主管研究員「ArFエキシマレーザリソグラフィ用新規レジスト材料の開発と実用化」 ...
ニコンは光源に極端紫外線(EUV)を使った半導体露光装置の市場投入が早くても2015年以降になることを明らかにした。
次世代の半導体微細化技術と位置付けられている極端紫外線(EUV)光源を用いた露光技術だが、導入を検討する半導体メーカーは限られる。
