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記事検索結果
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金沢大学ナノマテリアル研究所の徳田規夫教授、松本翼准教授、張旭芳特任助教らの研究グループは、単結晶シリコン上にダイヤモンド製トランジスタを作製し、動作を実証した。... 徳田教授らはこれまでに、単結晶...
【京都】ロームはP型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で、オン抵抗を同社従来品比50%以上低減し、産業機器の省エネに貢献する新シリーズの生産を始めた。
産業技術総合研究所や東北大学、台湾国家実験研究院などの日台の共同研究グループは、シリコン(Si)とゲルマニウム(Ge)を利用し、新しいトランジスタ技術として注目されてい...
東芝のパワー半導体は300ボルト対応までの低耐圧の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)に強みを持つ。
エア・ウォーターは26日、高周波トランジスタ製造に最適な新しい窒化ガリウム(GaN)積層構造の開発に成功したと発表した。... 同構造を用いたトランジスタは、100度―200度Cの高温...
今後、p型有機トランジスタと組み合わせることなどにより、高速駆動可能な相補型有機デバイスを作製すれば、IoT(モノのインターネット)社会に向けた、フレキシブルな無線識別(RFI...
窒化ガリウム製トランジスタ構造において、不純物などに起因する量子ドットを観測した。... 量子ドット特性はトランジスタの性能などに影響を及ぼす。これを活用すれば窒化ガリウムトランジスタの改良などにつな...
東京大学、産業技術総合研究所、物質・材料研究機構の研究グループは、数マイクロメートル(マイクロは100万分1)寸法で微細加工した有機トランジスタアレイを作製し、これまで解明されていなか...
【京都】ロームは1ミリメートル角サイズの超小型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。
湘南工科大学の渡辺重佳教授(学長)は、平面型トランジスタの微細化の限界を克服する新しい積層型ロジックLSIの設計法を考案した。... 考案したのは、3次元積層型の縦型トランジスタ...
光源のVCSEL素子と、光源を駆動する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)素子を1パッケージにモジュール化(写真)。
今回、増幅器の周波数を制限する要因となっていたトランジスタの寄生容量成分をインダクタ成分で中和する「中和回路」を500ギガヘルツ帯で初めて適用。高速で高い利得を持つインジウムリン製の高電子移動度トラン...
ロームは単位面積当たりのオン抵抗が業界最小のパワー半導体「1200ボルト 第4世代 SiC MOSFET(炭化ケイ素 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ...
東京工業大学科学技術創成研究院未来産業技術研究所の飯野裕明准教授、半那純一名誉教授らは、従来比2000倍以上の成膜スピードで有機トランジスタ向けの半導体を塗布成膜することに成功した。... 10センチ...
