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絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)を中心にパワー半導体の生産を増やすほか、炭化ケイ素(SiC)を活用した低損失次世代パワー半導体も製品化する。
IPMは絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)を使用したチップと駆動回路、各種保護回路などを一つのパッケージに収めた電力用半導体素子。
三菱電機は20キロワット出力時の電力損失をシリコン製絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)に比べ9割低減したインバーターを試作。
三菱電機は20日、炭化ケイ素(SiC)製ダイオードと絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)を組み合わせた大容量パワーモジュールを開発した発表した。... IGB...
ハイブリッド車(HV)や鉄道の駆動モーターを制御するインバーター、太陽光発電のパワーコンディショナーなどに内蔵され、大電力を扱う絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT&#...
インバーターに内蔵される絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)とそれを制御するマイコンの間に設置するフォトカプラに加え、PCUの電流、電圧を測定するためのアンプを供給する。
変換損失はシリコン製の絶縁型ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)と比べて42%低減した。またIGBTでは6個のトランジスタと周辺回路をモジュール化していたが、今回のICで...
三菱電機は業界最大の定格電流容量を持つ産業用の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)モジュール「ニューMPDシリーズ」を製品化し、2010年1月に発売する。
増産するのはエアコンや冷蔵庫など白物家電のモーターを制御する「DIP―IPM」と呼ぶ半導体と、ハイブリッド車(HV)や電気自動車(EV)に搭載するモーターを制御する絶縁...
特にインバーターに搭載する絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)などパワー半導体技術は電機メーカーが最も強みを発揮できる分野。... 「一般部品の材料単価と比べたらIGBTの原価...
【厚木】日本インターはハイブリッド車(HV)や電気自動車(EV)のモーター駆動用の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールを開発した。.....
すでにダイオードなどで実績があるほか、今後は中・高耐圧のパワー半導体である絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)で採用が進む見通しだ。
車載半導体の国内シェアは3%強だが、10%以上に引き上げたい」 ―ハイブリッド車(HV)や電気自動車(EV)のモーター制御用絶縁ゲート型バイポー...
三菱電機は「IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)モジュールNXシリーズ」を順次、同技術に置き換える 。... 近年、機器の駆動・制御には、負荷状態に合わせて電源周波数...
IHクッキングヒーター用のIGBTは同社では初めて。 IGBTは大電流で高速スイッチ動作するため発熱が大きく、放熱のために大型パッケージを使う。新IGBTはプロセス技術により、IGBTに電流を...
