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記事検索結果
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これまでガリウムヒ素でできた化合物半導体同士の界面や、単層のカーボンシートのグラフェンなど、限られた材料でしか観測されていない。
同機構が独自開発した、結晶にひずみのない「液滴エピタキシー法」を使って作製したガリウムヒ素量子ドットを利用。... この量子ドットはガリウムヒ素とアルミニウムヒ素の境目で結晶格子の大きさが一致したもの...
窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使った世界最高出力の送信用増幅器で、既存のガリウムヒ素製のHEMTを使った増幅器に比べて、出力を16倍に高めた。
今後は実際に、直径数十ナノメートル(ナノは10億分の1)のガリウム・ヒ素製の量子ドットで結合端子のついた振動子を作り、複数個を並べてデバイスの作製を目指す。
中心となるのはヒ素・水銀測定セット、君津式表層汚染簡易測定キット、発色カラム簡易比色法。地質試料中のヒ素・水銀の濃度を測定するヒ素・水銀測定キット(写真)は所要時間20分程度で測定でき...
東北大学の寒川誠二教授らの研究グループは、化合物半導体であるガリウムヒ素の基板上に同材料から成る厚さ数ナノメートル(ナノは10億分の1)、直径10ナノメートルの円盤状の構造物を等間隔に...
スマートフォンなどの高機能携帯電話の販売量の増加が、電子デバイス向けのガリウムヒ素半導体の需要増加をけん引。... 同社はガリウムヒ素と窒化ガリウム基板および、それぞれの基板に有機金属層を成長させたエ...
ガリウム・ヒ素の半導体に、直径50ナノメートル、厚さ5ナノメートルのインジウム・ヒ素製の量子ドットを2個、精度良く重ねて埋め込む技術を開発した。
従来のガリウムヒ素(GaAs)半導体では3キロメートル程度だった通信距離を84キロメートル(25ギガヘルツ帯)まで延ばすことができると試算しており、都市間や離島とをつな...
東京大学大学院工学系研究科の田中雅明教授らの研究グループは、六方晶のマンガンヒ素の強磁性微粒子を含む単電子スピントランジスタ構造を作り、金属ナノ微粒子において10マイクロ秒(マイクロは100万...
今回、1兆分の1秒程度で振動する世界最高感度のテラヘルツ光の電場波形を直接測定し、半導体であるガリウム・ヒ素と、アルミニウム・ガリウム・ヒ素の間(界面)に形成した2次元の電子系で、ファ...
半導体による量子コンピューターの研究ではイリジウム・ガリウムヒ素など微小半導体粒子の「量子ドット」も使われるが、リン不純物シリコンは量子ドットよりも仕組みが簡単で、一般的に使われている材料のため、コス...
シリコン基板上にインジウム・ガリウム・ヒ素(III―V族化合物半導体)を集積する新技術を開発、酸化アルミニウムの絶縁膜上に形成したIII―V族化合物半導体(III―V―OI&#...
日本は火山国であり、自然の岩石や地盤にヒ素、鉛、フッ素、ホウ素などが含まれることが多く、これらが堆積(たいせき)した場合に土壌汚染対策法の指定基準を超過することがある。
このLEDの本体には一般的な半導体材料のガリウム・ヒ素を使用。p型(電荷を運ぶキャリアが正孔)、i型(不純物を含まない真性半導体)、n型(キャリアが自由電子&#...
