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記事検索結果
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絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のパワー素子に使える。
TMR素子は、メモリー機能を持つ縦型のスピン電界効果トランジスタ(縦型スピンFET)の基本構造。
【京都】ロームは車載向けとしては業界最小となる金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「AG009DGQ3=写真」を開発、量産を始めた。
ガリウム・マンガン・ヒ素は電子などのスピンの効果により強磁性が発現して、電界をかければ磁気特性を制御できることを示した。
小・中容量のIGBT(絶縁ゲート型バイポーラートランジスタ)やMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)をマイコンから直接駆動できる。
金沢大学理工研究域電子情報学系の松本翼助教、徳田規夫准教授らの研究グループは、産業技術総合研究所、デンソーなどと共同で、ダイヤモンド半導体を使った、反転層チャネル金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&...
日立ハイテクノロジーズは光学顕微鏡と電界放出型走査電子顕微鏡(FE―SEM)で細胞組織などを観察する際、簡単に同じ箇所を観察できるシステムを発売した。
GaNで耐圧1・2キロボルト級の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)チップを作製した。
金属との摩擦により不純物を帯電させ、電界集塵装置を用いて除去する帯電分離技術によって、短時間で再生フロンの純度を高めることができた。
【工業用途に応用】 一方、杉本准教授は材料となる塗料に電界をかけて凹凸を作り、形を変えるフィルムの製造方法も開発中だ。... 実験は塗料をガラスに付着させ、電界をかける方法で行う。....
ロームは産業機器の補機電源向けに適した1700ボルト耐圧の炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「SCT2H12NZ=写真」を...
ステンレス製のワイヤに約10キロボルトの高電圧をかけて電界をつくり、空気中の水分や酸素分子などをイオン化する。
富士電機は29日、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)パワー半導体で、省エネ性能を高めた新製品2種類を発売したと発表した。
渡辺教授は3次元型NANDフラッシュメモリーの独自の製造技術を使って、縦型の強誘電体ゲート電界効果トランジスタ(FeFET)を縦方向に直列接続する積層構造の論理回路を提案した。
接近した電極に高周波交流を送る電界結合方式を採用した。... 電界結合は送電効率の低さが課題だった。
外部の電界を使って電子スピンの向きを長時間保持した。半導体中の電子スピンの向きを安定的に操作できるようになり、量子コンピューターや電界効果型スピントランジスタなど、電子スピンを使った演算素子の実現に貢...
【トレンチ構造採用 SiC―MOSFET】 ロームは2015年6月、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と...
最高加速電圧200キロボルトの電界放出形透過電子顕微鏡で、省エネモード時のエネルギー消費量を、装置使用時の約5分の1に抑えた。
