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記事検索結果
603件中、12ページ目 221〜240件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.006秒)
【名古屋】名古屋大学未来材料・システム研究所は24日、窒化ガリウム(GaN)の研究拠点「エネルギー変換エレクトロニクス実験施設(C―TEFs)」を完成、開所式を行った。...
市場における競争力向上には、ミッション機器の搭載率を上げることが重要であり、電化による大電力化に伴って増大した電源機器の小型軽量化が課題となっている。... さらなるミッション機器の搭載率向上のために...
キャンパス内の研究施設を結ぶ移動手段として利用してもらい、研究の活性化につなげる。電動モビリティーの利用方法の実験と、窒化ガリウム(GaN)を活用した半導体デバイスの性能評価の実験を兼...
窒化銅にフッ素を加えると「n型」から「p型」になる。それぞれ電子移動度は1ボルト秒当たり180―200平方センチメートル、正孔移動度は同50―80平方センチメートルと窒化ガリウムよりも高い。 ...
そのほか、ブルーレイディスクやHDDなどを含むコンピューティング関連製品は15兆4900億円、積層DRAMや窒化ガリウム系発光ダイオード(LED)照明などを含む電子デバイス製品が4兆1...
赤色はガリウムヒ素(GaAs)系、緑色や青色は窒化ガリウム(GaN)系の基板材料を使用し、技術が大きく異なる。 ...
【京都】ロームは次世代の窒化ガリウム(GaN)製パワー半導体を手がける、カナダのガンシステムズ(オンタリオ州)と業務提携した。GaNは大電流に強く、電力消費量を抑えたり...
開発中の技術の事業化スピードを速めるため、「外部の専門家に“目利き”として加わってもらっている」(宮崎社長)という。具体的には電気の力で伸縮する「eラバー」や窒化ガリウム(Ga...
18年度以降の商品化を見込む新製品で25年度に売上高計1700億円を目指す。... 1チップの電流が50アンぺア以上と世界最高クラスの大電流化を実現する窒化ガリウム(GaN)製パワー半...
産業技術総合研究所窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリの山田永主任研究員と宇治原徹副ラボ長(名古屋大学教授)らは、窒化ガリウム(GaN)半導体の結晶...
駆動用モーターや発電機、DC/DCコンバーター、制御機器、バッテリーの安全・最適化、充送電、炭化ケイ素(SiC)および窒化ガリウム(GaN)モジュールなどがそ...
名古屋大学の天野浩教授(写真)らは16日、次世代パワー半導体の材料となる窒化ガリウム(GaN)結晶を高品質に作る製造技術を開発したと発表した。... 品質向上と低コスト...
パワエレに用いる大面積の電極界面の全体を見渡せ、顕微鏡観察では分からない半導体結晶の欠陥や電極界面の劣化を光電流の差異として可視化できる。 ... 窒化ガリウムや炭化ケイ素、酸化物半...
三菱電機が第5世代通信(5G)需要の取り込みに向け、基地局向けに窒化ガリウム(GaN)を使った高周波デバイスの提案を強化する。... 化合物半導体であるGaNを使った高...
【名古屋】豊田合成は開発中の窒化ガリウム(GaN)製パワー半導体で、1チップの電流が50アンぺア以上と世界最高クラスの大電流化を実現した。... 車載電子部品の小型化などが期待できると...
【名古屋】名古屋大学未来材料・システム研究所付属未来エレクトロニクス集積研究センターの新田州吾特任准教授らは、窒化ガリウム(GaN)の結晶構造の乱れといった欠陥の3次元的な分布を可視化...
一方、窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の世界市場規模は30年に17年比72・2倍の1300億円とした。17年は18億円だったが、参入メーカーが600ボルト帯以上の中耐圧領域向けで製品...
◇大電力の電源機器を高速・小型化 パナソニックは、データセンター(DC)や通信基地局などで使う大電力の電源機器を高速に動かせる絶縁ゲート(MIS)型窒...
ルネサスエレクトロニクスは、宇宙産業向けに放射線耐性を持つ窒化ガリウム(GaN)電界効果トランジスタ(FET)と、GaNFETドライバーICを発売した。... ローサイ...
