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記事検索結果
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サムスンは極紫外線(EUV)を使った露光装置の開発支援として、ASMLに5年間で研究開発費2億7600万ユーロ(約271億円)を提供するほか、5億300万ユーロ(...
巨額開発費がネックとなり、ASMLはEUV開発に遅れが生じていた。... ASMLを軸にした半導体大手のEUV導入が早まれば、戦略の練り直しは必至。... EUV開発で後れを取ると、厳しい局面に立たさ...
また、今後5年間に2億7600万ユーロ(約268億円)を提供し、極紫外線(EUV)を使った露光装置と直径450ミリメートルウエハーに対応した装置の開発を支援する。...
今後改良を進め、次世代の半導体製造技術である極端紫外線(EUV)リソグラフィーへの用途を目指し、3インチ結晶の作製技術を確立する。 ... 結晶サ...
極紫外線(EUV)露光装置など次世代機の研究開発費を提供する。... EUV露光装置の開発を急いできた。 ... 業界関係者は「EUVより実用化は早い」と見ている。&...
オランダのASMLは18日、次世代半導体の回路微細化の製造技術として注目を集めるEUV(極紫外線)を活用した露光量産機の受注台数が11台になったと発表した。... EUV露光機は従来の...
半導体は極端紫外線(EUV)露光などの次世代技術関連の研究も行うが、短期ではプラスアルファの技術でのフッ化アルゴン(ArF)露光の延命に対応することがポイントだ」...
本書は現場の即戦力シリーズの一冊として、光、電子線、X線、EUV(極紫外)光などのリソグラフィー技術をわかりやすく紹介。
同グループは自由電子レーザーで波長51ナノメートル(ナノは10億分の1)の極紫外(EUV)域の光を出す施設で、光吸収によってヘリウム原子から飛び出す電子のエネルギーの変...
JSRは20日、米国半導体製造技術組合のSEMATECHと共同で、化学増幅型の感光性材料(フォトレジスト)を使って極端紫外線(EUV)露光し、線幅15ナノメートル...
現在、真空環境下で利用する真空紫外光(EUV、波長13・4ナノメートル)を光源とする高額な露光装置を使えば、20ナノ―30ナノメートルの分解能で加工できるようになっている。 &...
エルピーダメモリは広島工場(広島県東広島市)に次世代の半導体製造技術のEUV(極紫外線)露光装置用の新棟の建設を検討する。... EUVの評価段階にあるが、実用化のハー...
回路形成に既存の手法と異なる極紫外線(EUV)技術を使った装置の利用が必須と見られる。複数の企業がこのEUV技術を搭載した試作機を利用しているが性能評価に苦戦。「EUVが使えなければ微...
EUVL基盤開発センターや大阪大学などと共同で、極端紫外光(EUV)リソグラフィーに必要なマスク技術や、レジスト材料の露光性能の評価技術などを開発する。
JSRは24日、次世代の極紫外光(EUV)を使った半導体露光技術に対応したエッチング用フォトレジストで良好な加工性を確認したと発表した。感度と解像度、パターンの粗さの3点のバランスにつ...
ウシオ電機は16日、自社の極端紫外線(EUV)光源が欧州の研究機関IMECに採用される見通しだと発表した。ドイツにある連結子会社エクストリームテクノロジーズがDPPと呼ばれる、放電で生...
2位の東京エレクトロンは会場近くで技術説明会を開き、次世代露光技術であるEUV(極紫外線)向けの塗布現像装置などの開発状況を明らかにした。半導体メーカーがEUV技術を本格量産に適用する...
