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記事検索結果
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日本でパワー半導体用の炭化ケイ素(SiC)ウエハー技術を育成する取り組みが動き始めた。... 昇華法は固体のSiCを高温で昇華させ、低温下で再結晶化させる。... また、SiCはSiよ...
ロームは8インチ炭化ケイ素(SiC)ウエハーで金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発する。... ウエハー技術開発ではセントラル硝子や昭和電工が高品...
原理上はSiC基板の一面を超電導にできる。... SiC基板の表面に炭素原子が並んだ面にグラフェンを1層形成する。ここにカルシウムを蒸着し加熱するとSiCとグラフェンの間と、SiC基板の炭素原子の層と...
東洋炭素は2026年12月期に、SiC(炭化ケイ素)半導体や発光ダイオード(LED)などの製造工程で使用する半導体向け黒鉛製品の売上高比率を、21年12月期実績比10ポ...
次世代材料の炭化ケイ素(SiC)製品に対する顧客の自動車メーカーの態度が急変した。「SiCの本格的な普及はもう少し先と思っていたが、当初想定より1年以上早まっている」と驚く。 ...
ロームは同じく機器の小型化・省エネルギー化に寄与する炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスも10年に量産化に成功。26年3月期までの中期経営計画では、GaN、SiCを含むパワー半導体事業を...
炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスの生産増強も急ぐ。ただ製造装置の納期が過去にないくらいに延びているのが懸念材料だ」 ―SiCパワー半導体の成長戦略は。 &#...
コロナ禍で会場開催が2年ぶりとなる「SEMICON JAPAN 2021 Hybrid」での同社ブースの見所は、近年主力事業として成長が加速している半導体造装置向けマテリアル部...
本特集では次世代半導体として注目されるSiC(炭化ケイ素、シリコンカーバイド)、GaN(窒化バリウム、ガリウムナイトライド)、酸化ガリウム、ダイヤモンドといった材料の最...
炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)、酸化ガリウムを基板に使い、接続部の温度が高くなる次世代パワー半導体などでの使用を見込む。... SiCやGaN、酸化ガリウ...
「SiC(炭化ケイ素)ダイオードは20年にサンプル出荷を始め量産に向け取り組んでいる。
加工済み製品を中に入れて歪みを除去する電気炉は炭化ケイ素(SiC)のヒーターを使い、炉内の雰囲気を均一に暖める。
日立パワーデバイス(東京都千代田区、奈良孝社長)は21日、スイッチング損失を従来比約30%低減したフル炭化ケイ素(SiC)のパワー...
高い純度の炭化ケイ素(SiC)超微粒子を主原料とし、高熱伝導、高耐電圧、高耐久性といった特性を持つ。 住友大阪セメントは市川事業所でSiCセラミック材料の黒い円盤形プ...
炭化ケイ素(SiC)半導体デバイスを採用し、サイズは1・5Uで重量18キログラムと小型・軽量化した。
マレーシア製造子会社の敷地に建てる新棟で生産するのは、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体などを駆動させるための絶縁ゲートドライバー。
