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記事検索結果
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シリコンや炭化ケイ素(SiC)製デバイスでは実用化が難しい領域の取り込みを図り、シェア拡大を狙う。
岩崎通信機は炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワーエレ分野に注力する中、ユーザー要望に応える12ビットの高分解能、8チャンネルオシロが好調だ。
【岐阜】鍋屋バイテック(岐阜県関市、岡本友二郎社長、0575・23・1121)は、炭化ケイ素(SiC)製の「特殊ねじ」を開発した。... 鍋屋バイテックは、薬品や熱など...
産業技術総合研究所は9日、昭和電工などのウエハー(基板)メーカーを含む17社や公的機関3機関と連携し、次世代パワー半導体用の高品質の炭化ケイ素(SiC)ウエハーの量産技...
電機業界としての激震は、これまでのパワー半導体が前述のSiで構成されているのに対し、モデル3は量産型EVとして世界で初めてインバーター向けパワー半導体として炭化ケイ素(SiC)を搭載し...
関西学院大学理工学部の金子忠昭教授らは豊田通商と共同で、次世代パワー半導体材料の炭化ケイ素(SiC)基板で欠陥を無効化する「Dynamic AGE―ing(ダイナミック...
石英素材より使用寿命が長く加工条件が厳格な環境下に適し、炭化ケイ素(SiC)素材より短納期で提供できる。 ...
大手パワー半導体メーカーは、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)など次世代デバイスへ経営資源をシフトしている。
日立パワーデバイス(東京都千代田区、奈良孝社長、03・4564・4415)は26日、抵抗を従来比40%低減した炭化ケイ素(SiC)製のパワー半導体「TED―MO...
岩崎通信機は炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワー半導体の開発向けに、最大ピーク電流2キロアンペアで測定する半導体カーブトレーサー「CS―8000シリ...
【京都】ロームは7日、炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスの生産増強を目的に建設していた筑後工場(福岡県筑後市)の新棟が完成したと発表した。... 床面積などの詳細は明ら...
低損失で温度変化に強く、電気自動車(EV)などで採用が進む炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスの技術開発などに取り組む。... UAESはローム製SiCパワーデバイスを採...
研磨剤スラリーを使用しない半固定砥粒研磨工具「LHAパッド」は、電気自動車(EV)や第5世代通信(5G)などの進展で需要増が見込まれるパワー半導体の炭化ケイ素(...
岩崎通信機は30日、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの化合物半導体デバイスの評価に特化し、同社初となる最大入力8チャンネルのオシロスコープ「DS―800...
汎用的で塑性変形しにくいチョクラルスキーシリコン基板を下地にし、独自の成膜技術で炭化ケイ素(SiC)薄膜とGaNの厚膜を形成させる(写真)。高周波性能に優れ、従来の半絶...
シリコンだけでなく、小型基板が主流となっている炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの化合物半導体ウエハーにも対応できる。
既存の回転工具による加工が難しいサブミクロンオーダーや、炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)などの脆性材の加工に対応する。
次世代の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体で成果を前倒して性能やコスト面で先行できそうだ。
GaN、炭化ケイ素(SiC)、ガリウムヒ素(GaAs)などの化合物半導体を使う5G通信用デバイス、パワーデバイス、マイクロLED向けが好調で、各装置の売上高のうち化合物...
