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記事検索結果
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米トランスフォームは同社の高電圧GaN(窒化ガリウム)FET(電界効果トランジスタ)が、電源製品の台湾企業デルタ電子に採用されたと発表した。
高周波であるメーンの110キロヘルツは、パワー半導体に使われる絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)の接合で素子破壊を起こしにくい。
パワー半導体以外は、制御回路に必要な電源IC、1ワット以下の電力を扱う小信号半導体のトランジスタやダイオードなどの増産に充てる方針。
東芝デバイス&ストレージは650V耐圧スーパージャンクション構造のパワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)として、「DTMOS VI(ディーテ...
京都大学大学院工学研究科の白石誠司教授と外園将也大学院生、三重大学の中村浩次准教授らは、電気をよく流す白金を薄膜化することで、電気抵抗を変えられるトランジスタの性質を持たせることに成功した。 ...
情報の流通量が急増する中、メモリー各社では積層構造にして記憶容量を高める3次元(3D)NAND型フラッシュメモリーや立体構造トランジスタ(FinFET)の需要が活性化。
併せて、最新世代のパワー半導体である第7世代絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)の生産能力を、22年をめどに増やす。
東京大学の渡邉峻一郎特任准教授と竹谷純一教授は有機トランジスタのノイズ源を特定し、低ノイズトランジスタを開発した。... 対策を施した有機トランジスタは印刷で大量に作れる。... マイナス70度Cの低...
そこでJAXAでは、BDRの小型軽量化のためにスイッチング周波数の高周波化を検討しており、窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN-FET)を適用したメガヘルツスイッチング電源...
有機エレクトロニクス分野はトランジスタの微細化が難しかった。... 特殊な「アンチ・アンバイポーラートランジスタ」と一般的な「n型トランジスタ」がつながった素子構造を開発した。... 3値のトランジス...
【京都】ロームは2022年3月期までに300億円超を投じ、トランジスタやダイオードの生産能力を30%程度増やす。... 自動車の電装化が進む中、制御回路などに使う1ワット以下の電力を扱う小信号...
▽片瀬貴義東京工業大学准教授「鉄系高温超伝導体および遷移金属酸化物と全固体電気二重層トランジスタを利用した多機能結合素子の開発」▽芹澤伽那中央大学大学院生「電磁エネルギー変換用軟磁性材料の結晶構造と動...
独自の高アイソレーション設計技術を用いたミキサー回路をインジウムリン高電子移動度トランジスタ(InP―HEMT)で実現。
