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記事検索結果
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電気自動車(EV)向けの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)などで、デバイスの小型化・高効率化に貢献できる。... 一般的なIGBTで使われる絶縁回路基板やリー...
パワー半導体もショットキーバリアーダイオードだけでなく、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)も強化する。
組み立てや検査などの後工程では、長野県などの国内3拠点で自動車用の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールの生産ラインを増設。
【京都】ロームは金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「プレストモス」シリーズに、インバーター回路の低消費電力化に適した「R60xxMNxシリーズ=写真」を追加し...
同等の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールと比べて、スイッチング損失を約64%削減した。... フルSiCモジュールは、内部のショットキーバリアーダイオード&...
インバーターに搭載するSiCデバイスや絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)などを中心にサポートする。... ローム滋賀では金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSF...
ドイツの新拠点で取り扱うのは、インバーターに搭載するSiCパワーデバイスや絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)など、車載・産機向けの製品が中心となる。
中村泰三 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や中央演算処理装置(CPU)といった、キー部品の調達を担当する部門で、開発製品に使用される部品の選定や価格...
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のパワー素子に使える。
【SiC用絶縁回路基板の開発】 【熱応力に対応】 省エネ技術としてモーターの回転数を半導体により制御して出力を調整する技術が普及している。現在の主流はシリコン半導体...
絶縁耐圧が6キロボルトの「LV100=写真」2機種と同10キロボルトの「HV100」3機種で構成する。... 独自の第7世代絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)とダイオ...
三菱電機は30日、先端の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を採用した産業機器向けパワー半導体に、定格電圧1700ボルトの新製品を追加して発売すると発表した。
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の厚みを薄くすることで電気の通りを良くし、従来製品と比べ電力損失を約40%低減した。
新製品は「HVIGBTモジュールXシリーズ=写真」で、同社独自の第7世代絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)とダイオードを搭載し、従来製品と比べ電力損失は約20%...
富士電機は5日、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を採用したパワー半導体モジュールの新製品を開発し、サンプル出荷を順次始めたと発表した。
富士電機はSiC素子を採用したショットキーバリアーダイオード(SBD)と、既存のSi素子を使った絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を組み合わせたハイブリッド型...
ハイブリッド車(HV)や電気自動車(EV)向けの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の需要が急増しているためで、現行の研究用途向け1機種に加え、...
